Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Низкотемпературная фотолюминесценция кремния, легированного гольмием

Андреев Б.А.¹, Соболев Н.А.², Курицын Д.И.³, Маковийчук М.И.⁴, Николаев Ю.А.², Паршин Е.О.⁴

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия Devyatykh Institute of Chemistry of High-Purity Substances, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Devyatykh Institute of Chemistry of High-Purity Substances, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

⁴Институт микроэлектроники Российской академии наук, Ярославль, Россия

Поступила в редакцию: 28 декабря 1998 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована фотолюминесценция кремния, имплантированного ионами гольмия с энергиями 1/ 2 МэВ и дозами 1· 10¹³/ 3· 10¹⁴ см^-2 и отожженного при температурах 620/ 900^oC в течение 0.5/ 1 ч. Для увеличения концентрации электрически и оптически активных центров проводилась дополнительная имплантация ионов кислорода с энергиями 0.14/ 0.29 МэВ и дозами 1· 10¹⁴/ 3· 10¹⁵ см^-2. Наблюдалось несколько линий фотолюминесценции, обусловленных переходами электронов с первого возбужденного состояния ионов Ho³⁺ (⁵I₇) в основное состояние (⁵I₈). Амплитуда наиболее интенсивных линий с переходами на частотах 5119 и 5103 см^-3 уменьшается более чем на порядок величины в диапазоне температур 4.2/ 78 K. Интенсивность линий фотолюминесценции ионов гольмия возрастает при увеличении концентрации введенных ионов редкоземельного элемента и кислорода.

Н.А. Соболев. ФТП, 29, 1153 (1995)
MRS Symp. Proc., 422 (1996)
MRS Symp. Proc., 486 (1998)
J. Luminesc. (1999) [ Proc. European MRS Spring Meeting (Strasbourg, 1998)]
О.В. Александров, А.О. Захарьин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин. ФТП, 32, 1029 (1998)
V.V. Emtsev, V.V. Emtsev Jr, D.S. Poloskin, E.I. Shek, N.A. Sobolev. J. Luminesc. (1999)
V.I. Vdovin, T.G. Yugova, N.A. Sobolev, E.I. Shek, M.I. Makovijchuk, E.O. Parshin. Nucl. Instrum. Meth. B147, 116 (1999)
Н.А. Соболев, Е.И. Шек, А.М. Емельянов, В.И. Вдовин, Т.Г. Югова. ФТП, 33 (1999)
N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh. Appl. Phys. Lett., 71, 1930 (1997)
Справочник по лазерам, под ред. А.М. Прохорова (М., Сов. радио, 1978) т. 1, ч. II, гл. 11--13

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель