Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1991, выпуск 6
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 6
Бейсюк П.П., Савицкий А.В., Илащук М.И., Руснак Н.И., Власюк В.И., Парфенюк О.А.
Равновесные свойства твердых растворов Cd
1-x
Mg
x
Te
961
Соловьева Е.В., Мильвидский М.Г., Белогорохов А.И., Виноградова Г.И., Гогаладзе Д.Т., Долгинов Л.М., Малькова Н.В., Новикова В.М., Осипова А.Н.
Влияние фазовых превращений на оптические и электрические свойства эпитаксиальных гетероструктур In
0.53
Ga
0.47
As/InP
965
Мякенькая Г.С., Гуцев Г.Л., Самойлов В.М.
Обобщенная микроскопическая модель аномального мюония и его водородного аналога в кремнии
970
Масленников Н.М.
К вопросу о величине напряжения пробоя p-n-переходов в кремнии
976
Немов С.А., Житинская М.К., Прошин В.И.
Особенности явлений переноса в PbTe, легированном одновременно Tl и Si
979
Джафарова С.З., Рагимова Н.А., Абуталыбов Г.И., Гусейнов А.М., Абдинов А.Ш.
Экситонные состояния в легированных монокристаллах InSe и GaSe
983
Рытова Н.С.
Анализ диффузионных профилей водорода, образующихся при гидрогенизации полупроводниковых образцов
990
Емцев В.В., Клингер П.М., Фистуль В.И., Шмарцев Ю.В.
Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии
997
Миргородский В.И., Пешин С.В.
О влиянии центров захвата на акустоэлектронное взаимодействие в фотопроводящем сульфиде кадмия
1004
Пузин И.Б.
Об определении концетрации легирующей примеси в активном слое ДГС лазеров из емкостных измерений
1007
Трифонова М.М., Барышев Н.С., Мезенцева М.П.
Электрические свойства эпитаксиальных слоев марганец-ртуть-теллур n-типа
1014
Птащенко А.А., Мороз Н.В., Будулак В.И.
О возможном механизме появления отрицательного сопротивления p-n-гетеропереходов с глубокими уровнями
1018
Винокуров Д.А., Лантратов В.М., Синицын М.А., Улин В.П., Фалеев Н.Н., Федорова О.М., Шайович Я.Л., Явич Б.С.
Свойства и особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на подложках Si(100) методом двухстадийного осаждения в МОС гидридном процессе
1022
Паносян Ж.Р., Касаманян З.А., Шмавонян Г.Ш.
Размерно-квантованные поверхностные экситоны на границе раздела CdTe-электролит
1030
Томашюнас Р., Пятраускас М., Вайткус Ю., Синюс Я., Гашка Р., Власкин А.
Фотопроводимость в пленках PbS при возбуждении пикосекундными импульсами света
1034
Куряева Р.Г., Киркинский В.А., Фурсенко Б.А.
Исследование под давлением края полосы поглощения полупроводников в камере с алмазными наковальнями
1040
Алешкин В.Я., Демидов Е.В., Звонков Б.Н., Мурель А.В., Романов Ю.А.
Исследование квантовых ям C-V-методом
1047
Вакуленко О.В., Супруненко В.Н., Рыжиков В.Д.
Температурная зависимость интенсивности примесной люминесценции в полупроводниках с амфотерными центрами рекомбинации
1053
Белотелов С.В., Иванов-Омский В.И., Ижнин А.И., Смирнов В.А.
Люминесценция имплантированных слоев Cd
0.38
Hg
0.62
Te и диодных структур на их основе
1058
Шикин В., Шикина Ю.
Вольт-амперная характеристика отдельной заряженной дислокации в полупроводниках
1065
Сырбу Н.Н., Хачатурова С.Б., Олиференко Н.М., Бурка А., Лукин А.Н.
Колебательные ИК спектры SiAs
1067
Томашюнас Р., Мастейка Р., Пятраускас М., Жиндулис А., Кутра Й.
Фотопроводимость сильновозбужденных поликристаллических пленок CdTe
1070
Олешко Е.В., Велиюлин Э.И., Козыренко Э.И., Кахраманов С.Ш.
Особенности изменения электронной структуры теллурида висмута при самоинтеркаляции медью
1073
Абдурахманов К.П., Куликов Г.С., Лебедев А.А., Утамурадова Ш.Б., Юсупова Ш.А.
Исследование поведения примесей марганца и никеля при диффузионном легировании кремния
1075
Рытова Н.С.
Образование молекул водорода в арсениде галлия n-типа при его гидрогенизации
1078
Пашаев Э.М., Каневский В.М., Пурцхванидзе А.А., Перегудов В.Н.
Влияние рентгеновского излучения на реальную структуру кристаллов Cd
x
Hg
1-x
Te
1080
Громовой Ю.С., Пляцко С.В., Костюнин Г.Е.
Суперсверхтонкая структура в спектрах ЭПР ионов Eu
2+
в тонких пленках PbTe
1083
Андрианов А.В.
Исследование эпитаксиальных твердых растворов InAs
1-x-y
Sb
x
P
y
методом комбинационного рассеяния света
1086
Магомедов М.- Р.А., Абдуллаев М.А., Амирханова Дж.Х.
Тепловые и электрические свойства пленок CuInSe
2
, полученных методом испарения из одного или двух источников
1088
Ремесник В.Г., Талипов Н.Х.
О концентрации и подвижности электронов в узкозонных полупроводниковых соединениях A
II
B
VI
p-типа
1091
Бойко И.И., Шик А.Я.
Охлаждение двумерного электронного газа затвором МДП структуры
1094
Эпштейн Э.М., Шмелев Г.М., Железняк А.Т.
Поле неидеального delta-легированного слоя в условиях пробоя экранирования
1098
Шмаков С.Л.
Расчетные аспекты оптимизации варизонных слоев по выходу люминесценции
1099
Баженов Н.Л., Иванов-Омский В.И., Ижнин А.И., Смирнов В.А.
Квантовый выход фотолюминесценции в твердых растворах Cd
x
Hg
1-x
Te (0.4<x<0.74)
1103
Тиман Б.Л., Карпова А.П., Селин С.М.
Изменение свойств контакта в процессе протекания тока в системе In-CdS-In
1107
Козуб В.И.
Новые книги по полупроводникам
1108
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук