"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование под давлением края полосы поглощения полупроводников в камере с алмазными наковальнями
Куряева Р.Г.1, Киркинский В.А.1, Фурсенко Б.А.1
1Институт геологии и геофизики им 60-летия Союза ССР СО АН СССР, Новосибирск
Выставление онлайн: 20 мая 1991 г.

Представлена установка для съемки спектров оптического поглощения от микрообразцов при высоких давлениях. Исследован коэффициент поглощения AgAsS2 как функция длины волны падающего света в интервале 400-800 нм при различных давлениях до 5.0 ГПа. Установлено, что длинноволновый край поглощения подчиняется экспоненциальному закону, а более высокоэнергетическая часть --- зависимости alpha2 (hnu ). Под действием давления край поглощения смещается в красную область. В его поведении выявлены нарушения монотонности, свидетельствующие о фазовых переходах в кристаллическом AgAsS2 при давлениях 1.3-1.4, 2.0, 2.5, 3.0-3.2, 3.7-3.9, 4.2 ГПа. Барический коэффициент смещения края полосы поглощения в области прямых межзонных переходов --- [d (hnu )/dP]· 102 составляет (4.6± 0.3), (4.3±0.3), (9.0±0.4), (5.0± 0.4), (7.6±0.5), (12.5±0.5), (7.2±0.6) эВ/ГПа в областях давлений 0-1.3, 1.3-2.0, 2.0-2.5, 2.5-3.1, 3.1-3.8, 3.8-4.2, 4.2-5.2 ГПа соответственно.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.