Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1995, выпуск 6
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1995, том 29, выпуск 6
Кадушкин В.И., Шангина Е.Л.
Фотолюминесценция легированных разнесенных сверхрешеток GaAs/Al
x
Ga
1- x
As
1051
Павелец А.М., Павелец С.Ю., Сванидзе Т.М.
Поверхностно-барьерные структуры CdSe
x
Te
1- x
для солнечных элементов
1061
Загоруйко Ю.А., Комарь В.К., Мигаль В.П., Чугай О.Н.
Релаксационная поляризация в кристаллах селенида цинка при фотовозбуждении
1065
Подоксик Э.Е., Лукашевич М.Г., Мацукевич В.Г.
Низкотемпературный перенос заряда в магнитном поле неравновесными электронами в n-GaAs
1070
Дмитриев А.П., Емельянов С.А., Иванов С.В., Мельцер Б.Я., Терентьев Я.В., Ярошецкий И.Д.
Экспериментальное определение энергии донорных центров, локализованных на границах квантовой ямы GaSb/InAs/GaSb
1076
Юрьев В.А., Калинушкин В.П.
Крупномасштабные скопления электрически активных дефектов в монокристаллах InP : As и InP : Ga
1080
Андреев А.Н., Стрельчук А.М., Савкина Н.С., Снегов Ф.М., Челноков В.Е.
Исследование динисторных структур на основе SiC- 6 H
1083
Голуб Л.Е., Ивченко Е.Л., Расулов Р.Я.
Межподзонное поглощение света в квантовой яме полупроводника со сложной зонной структурой
1093
Кязимзадзе Р.З.
Холл-фактор электронов в кристаллах Ge
1-x
Si
x
при рассеянии на фононах и сплавном потенциале
1101
Кязимзаде Р.З.
Основные примесные состояния атомов серебра, замещающих узлы решетки в кристаллах Ge
1- x
Si
x
1105
Одноблюдов М.А., Пахомов А.А.
Энергия связи D
-
-центра в квантовой точке
1110
Берт Н.А., Куницын А.Е., Мильвидская А.Г., Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В.
Люминесцентные и структурные исследования монокристаллов GaSb, выращенных из нестехиометрических расплавов
1116
Зеленин В.В., Соловьев В.Г., Старобинец С.М., Конников С.Г., Челноков В.Е.
Исследование процесса роста эпитаксиальных слоев SiC при химическом осаждении из пара в системе CH
3
SiCl
3
--H
2
1122
Голикова О.А., Кудоярова В.Х.
Структурная сетка и уровень Ферми псевдолегированного аморфного гидрированного кремния
1128
Воробьев Л.Е., Данилов С.Н., Зибик Е.А., Кочегаров Ю.В., Фирсов Д.А., Тове Е., Сан Д., Торопов А.А., Шубина Т.В.
Оптические явления при разогреве электронов в системе квантовых ям Gaas--AlGaAs продольным электрическим полем
1136
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук