"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Релаксационная поляризация в кристаллах селенида цинка при фотовозбуждении
Загоруйко Ю.А.1, Комарь В.К.1, Мигаль В.П.1, Чугай О.Н.1
1Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 4 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.

Исследовано влияние фотовозбуждения на действительную (varepsilon') и мнимую (varepsilon'') части комплексной диэлектрической проницаемости varepsilon* кристаллов ZnSe. Представление зависимостей varepsilon'(lambda) и varepsilon''(lambda) в виде диаграмм varepsilon*(lambda) на комплексной плоскости позволило исследовать влияние упругого поля, созданного дефектами структуры, на энергетический спектр центров.
  1. I.G. Gavrikova, V.P. Migal, A.L. Rvachev. Phys. St. Sol. (a), 37, K21 (1976)
  2. Л.Г. Кириченко, В.Ф. Петренко. ФТТ, 22, 1590 (1980)
  3. В.П. Мигаль, А.Л. Рвачев, О.Н. Чугай. ФТП, 19, 1517 (1985)
  4. С.П. Чумакова, Н.А. Тихомирова, А.В. Гинзберг, Е.К. Лисецкая, В.К. Комарь. Письма ЖТФ, 13, 1379 (1987)
  5. Y.X. Liu, T.C. McGill. Cryst. Growth, 117, 742 (1992)
  6. В.В. Соболев. В кн.: \it Собственные энергетические уровни твердых тел группы AIV (Кишинев, Штиинца, 1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.