Письма в журнал технической физики
Вышедшие номера
Письма в журнал технической физики

Письма в Журнал технической физики основаны в 1975 году и по своему содержанию служат аналогом американского журнала Applied Physics Letters.

Журнал предназначен для срочной публикации кратких статей о последних достижениях в области физики, имеющих перспективу технического применения. Публикация в Письмах в ЖТФ не только не исключает, но и предполагает публикацию развернутых работ на ту же тему как в ЖТФ, так и в соответствующих специализированных журналах (Физика твердого тела, Физика и техника полупроводников, Радиотехника и электроника, Физика плазмы, Квантовая электроника и др.). Поэтому тематика публикуемых Письмами в ЖТФ статей шире тематики ЖТФ.

Периодичность выхода в свет -- два выпуска в месяц.

ISSN: 0320-0116

Учредителями являются:

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.

Запрещается использование материалов сайта журнала "Письма в журнал технической физики" в коммерческих целях, а также передача этих материалов третьим лицам для коммерческого использования.

Памяти Жореса Ивановича Алфёрова


Обращение Главного редактора и дирекции ФТИ им. А.Ф. Иоффе к авторам Писем в Журнал технической физики

Уважаемые авторы Писем в Журнал технической физики!

Опубликованное 14 марта 2022 г. компанией Pleiades Publishing (PP) заявление о приостановке выполнения существующих соглашений с учреждениями Российской Федерации, находящимися в государственной собственности или под государственным управлением (https://www.pleiades.online/ru/publishers/news/70/), сделало невозможным издание и публикацию ею англоязычных переводных версий журналов ФТИ им. А.Ф. Иоффе: «Technical Physics», «Technical Physics Letters», «Physics of the Solid State», «Semiconductors» и «Optics and Spectroscopy», осуществляемой PP исключительно и только в рамках действующих Лицензионных соглашений с учредителями (ФТИ и РАН).

Однако PP продолжает пиратское издание и публикацию собственных «оригинальных англоязычных журналов» под теми же названиями, сформированных из еще не изданных на английском языке публикаций русскоязычных версий журналов, в обход их учредителей, главных редакторов и редакций, что полностью противоречит Лицензионным соглашениям. Для этого РР использует переданные напрямую некоторыми авторами тексты опубликованных в русскоязычных выпусках статей и договоры о передаче прав. Так, опубликованный РР дополнительный выпуск журнала «Semiconductors» за 2021 г. (выпуск 1, supl. декабрь, 12 статей) и выпуски журналов за 2022 г (выпуск 1 «Physics of the Solid State», 5 статей; выпуск 1 «Technical Physics», 6 статей) не имеют ничего общего с оригинальными выпусками этих журналов на русском языке.

С целью предотвращения этих разрушительных действий PP для англоязычных версий наших журналов дирекция ФТИ совместно с главными редакторами журналов приняли единственно возможное решение о переходе к самостоятельному изданию англоязычных переводных версий своих журналов «Technical Physics», «Technical Physics Letters», «Physics of the Solid State», «Semiconductors» и «Optics and Spectroscopy», начиная с 2022 г., и параллельной публикации не выставленных PP переводов выпусков журналов за 2021 г. В ближайшие дни ФТИ направит в адрес PР уведомление о расторжении Лицензионных соглашений.

В связи с этим просим авторов статей, опубликованных в конце 2021 г. и в 2022 г. в русскоязычных выпусках Писем в Журнал технической физики, но не выставленных в англоязычной версии на сайте Springer, или принятых в публикацию в 2022 г., подписать и направить в редакцию Журнала прилагаемый Договор с ФТИ, согласно которому ФТИ выполняет функции издателя англоязычной версии. Если статья уже вышла в русскоязычных выпусках, то нужно указать том, выпуск и страницы от и до.

Рассчитываем на ваше понимание и солидарность в защите наших российских журналов и информируем вас о том, что дирекция ФТИ совместно с главными редакторами его журналов прикладывают необходимые усилия для скорейшего восстановления графика издания англоязычных переводных версий, продолжения их индексации в Web of Science и Scopus и дальнейшего развития журналов.

С уважением,
Главный редактор Писем в Журнал технической физики, Устинов В.М.
Директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе, С.В. Иванов

Уважаемые авторы!

ФТИ им. А.Ф. Иоффе испытывает глубокую обеспокоенность из-за заявления издательства Pleiades Publishing от 14 марта 2022 г. о приостановке выполнения существующих соглашений с учреждениями в Российской Федерации, находящимися в государственной собственности или под государственным управлением: https://www.pleiades.online/ru/publishers/news/70/. Согласно действующим Лицензионным соглашениям, этот акт издательства Pleiades Publishing делает невозможным издание и опубликование переводных версий научных журналов Института. В качестве вынужденной ответной меры Институт также приостанавливает выполнение Лицензионных соглашений, заключенных с этим издательством.

В случае невозвращения Pleiades Publishing к исполнению Лицензионных соглашений в самое ближайшее время, Институт оставляет за собой право самостоятельного издания англоязычных переводных версий своих журналов. При этом Институт предпримет все необходимые усилия для продолжения индексации издаваемых им журналов в базах данных Web of Science и Scopus.

13 апреля 2022 г.
Уважаемые авторы!

Из-за постоянных нарушений Лицензионного договора со стороны Pleiades Publishing, редакция журнала "Письма в журнал технической физики" и дирекция ФТИ им. А.Ф. Иоффе, как их издателя и соучредителя, категорически возражают против прямых контактов Pleiades Publishing c авторами опубликованных на русском языке статей и просят авторов решать вопросы о публикации англоязычных версий своих статей только через редакцию Журнала.

11 апреля 2022 г.
Уважаемые авторы!
Журнал принимает рукописи исключительно через онлайн систему подачи статей Open Journal System (OJS).
Уважаемые авторы!
Пожалуйста, ознакомьтесь с правилами оформлениями публикаций.

TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2022, выпуск 12
Формирование наноструктур Au/Si методом токовой литографии в сканирующем туннельном микроскопе (207)
Год 2022, выпуск 16
Эффект самоподдержания проводящего состояния в обратносмещенных GaAs-диодах, переключаемых в режиме задержанного лавинного пробоя (100)
Год 2022, выпуск 16
Атомарная однопузырьковая сонолюминесценция иттербия в коллоидной суспензии (82)
Год 2022, выпуск 15
Возможность построения модульной системы квантового распределения ключей в атмосфере (80)
Год 2020, выпуск 4
Улучшение пьезоэлектрических свойств ЦТС-керамики в результате низкотемпературного циклирования (79)
Год 2022, выпуск 16
Оптимизация тренировки полевых катодов высоким напряжением на основании данных полевого проектора (73)
Год 2022, выпуск 16
Оптическое возбуждение и контроль расширенных орбит в квадрупольных ловушках (70)
Год 2020, выпуск 5
Чувствительность к механическим воздействиям бинарных смесей на основе нанопористого кремния (68)
Год 2022, выпуск 4
Скорость горения порошкообразного пористого кремния в условиях ограниченного пространства (68)
Год 2022, выпуск 15
Геометрическая форма областей разрушения в ходе скользящей наноиндентации тонких пленок Si-C-N, применяемых для Н/МЭМС (64)
Год 2018, выпуск 12
Графен как сенсибилизирующая добавка в энергонасыщенную соль кобальта для усиления воздействия сильноточного электронного пучка (61)
Год 1996, выпуск 18
Роль эффектривности формирования сульфидного покрытия в электронной пассивации поверхности GaAs (59)
Год 2016, выпуск 22
Электрический взрыв проводника в энергоаккумулирующих фазовых материалах с наноразмерными полупроводящими добавками (56)
Год 2022, выпуск 15
Биоимпедансный анализ состояния поверхностных тканей пациента (55)
Год 2022, выпуск 14
Влияние фотоиндуцированного локального объемного заряда на эффективную скорость фотогенерации носителей в продольном фоторезисторе (54)