Письма в журнал технической физики
Электронная почта:
tpl@journals.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Письма в журнал технической физики
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
Home
»
Письма в журнал технической физики
»
Год 2010, выпуск 9
<<<
>>>
Письма в журнал технической физики, 2010, том 36, выпуск 9
Родионов Д.П., Гервасьева И.В., Хлебникова Ю.В., Казанцев В.А., Сазонова В.А.
Текстурированные подложки из Ni-Cr-W сплавов с точкой Кюри ниже 77 K для высокотемпературных сверхпроводников второго поколения
1
Жиляев Ю.В., Родин С.Н.
Рост слоев нитрида галлия методом хлоридной газофазной эпитаксии при пониженной температуре источника
11
Кузьмин Ю.И.
Состояние вихревого стекла в сверхпроводниках с фрактальными кластерами нормальной фазы
17
Илларионов Ю.Ю., Векслер М.И., Сутурин С.М., Федоров В.В., Соколов Н.С.
Характеристики тонких барьерных слоев фторида кальция для полевых транзисторов и приборов функциональной электроники
26
Мамутин В.В., Устинов В.М., Boetthcher J., Kuenzel Н.
Получение квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 5 mum молекулярно-пучковой эпитаксией
34
Андреев И.А., Серебренникова О.Ю., Соколовский Г.С., Куницына Е.В., Дюделев В.В., Гаджиев И.М., Дерягин А.Г., Гребенщикова Е.А., Коновалов Г.Г., Михайлова М.П., Ильинская Н.Д., Кучинский В.И., Яковлев Ю.П.
Быстродействующие p-i-n-фотодиоды для спектрального диапазона 0.9-2.4 mum
43
Корнюшин Ю.В.
Об эффективной проводимости композитных материалов
50
Зубарев Н.М., Зубарева О.В.
Равновесная конфигурация поверхности проводящей жидкости во внешнем пространственно-периодическом электрическом поле
54
Войнович П.А.
О чувствительности усиления обращенного акустического сигнала в условиях параметрического резонанса к малым изменениям длины волны
60
Меньшикова Т.Г., Бормонтов А.Е.
Флуктуационная модель вольт-фарадной характеристики МДП-структуры
65
Стогний А.И., Пашкевич М.В., Новицкий Н.Н., Беспалов А.В.
Ионно-лучевая инженерия многослойной наноструктуры Co/TiO
2
73
Дмитриев А.С., Ефремова Е.В., Никишов А.Ю.
Генерация микроволнового динамического хаоса в кольцевой автоколебательной системе на комплементарной металл-окисел-полупроводниковой структуре
82
Ктиторов С.А., Чэн Сяосинь
Динамичеcкое рождение щели в монослойном графене
90
Вилисова М.Д., Гермогенов В.П., Казтаев О.Ж., Новиков В.А., Пономарев И.В., Титков А.Н.
Исследование распределения электрического поля в детекторных структурах на GaAs методом Кельвин-зонд-микроскопии
95
Марин Д.В., Володин В.А., Горохов Е.Б., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Vergnat М., Koch J., Chichkov B.N.
Модификация нанокластеров Ge в пленках GeO
x
при изохронных печных и импульсных отжигах
102
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme