Флуктуационная модель вольт-фарадной характеристики МДП-структуры
Меньшикова Т.Г.1, Бормонтов А.Е.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж
Email: kuplinova@mail.ru
Поступила в редакцию: 14 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.
Исследована форма вольт-фарадной характеристики МДП-структуры при наличии статистических флуктуаций встроенного в диэлектрик заряда. Рассмотрено влияние зарядовых флуктуаций на энергетический спектр плотности поверхностных состояний (ПС) и другие параметры МДП-структуры. Показано, что при использовании обычных емкостных методик определения плотности ПС наличие флуктуаций может привести как к завышенной оценке ее величины (в режимах обогащения и инверсии), так и к заниженной оценке (в режиме обеднения), проявляясь в последнем случае в форме "отрицательной" плотности. Учет флуктуаций встроенного заряда необходим также для повышения точности контроля других параметров МДП-структуры емкостными методами.
- Nicollian E.N., Brews J.R. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and technology. N.Y.: Wiley, 1982. 928 p
- Гуртов В.А. Твердотельная электроника. М.: Техносфера, 2005. 406 с
- Бормонтов Е.Н., Левин М.Н., Гитлин В.Р., Меньшикова Т.Г., Татаринцев А.A. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 9. С. 73-81
- Крячко В.В., Левин М.Н., Татаринцев А.В., Бормонтов Е.Н. // ЖТФ. 2004. Т. 74. В. 10. C. 128--133
- Nicollian E.H., Goetzberger A. // Bell Syst. Tech. J. 1967. V. 46. N 5. P. 1055--1133
- Бормонтов Е.Н., Левин М.Н., Вялых С.А., Борисов С.Н. // ЖТФ. 2001. Т. 71. В. 2. C. 61--66
- Nahmanson R.S., Sevastianov S.B. // Solid State Electronics. 1984. V. 27. N 10. P. 881--891
- Garrett C.G., Brattain W.H. // Phys. Rev. 1955. V. 99. N 2. P. 376--397
- Terman L.M. // Sol. St. Electron. 1962. V. 5. N 3. P. 285--299
- Berglund C.N. // IEEE Trans. on ED. 1966. V. ED-13. N 10. P. 701--705
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук