Письма в журнал технической физики
Электронная почта:
tpl@journals.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Письма в журнал технической физики
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2026
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
2025
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
Home
»
Письма в журнал технической физики
»
Год 2026, выпуск 15
<<<
>>>
Письма в журнал технической физики, 2026, том 52, выпуск 15
Загуменный А.И., Заварцев Ю.Д., Попов П.А.
Температурные измерения теплопроводности кристаллов ScBO
3
и Yb
3+
:ScBO
3
3
Худайкулов И.Х., Исматов А.А., Мирзакандова С.Х., Ашуров Х.Б., Адилов М.М., Бердиев У.Ф.
Влияние толщины слоя SiO
2
и ориентации кремниевой подложки на рост углеродных нанотрубок методом химического осаждения из паровой фазы с плазменным усилением
6
Матвеев В.Н., Волков В.Т., Николайчик В.И., Кононенко О.В., Ходос И.И.
Гетероструктуры, образованные графеновой пленкой и графеновыми стенками
11
Васильев Н.В., Вавилов C.Н., Леньков В.А., Семенов И.П.
Интенсификация теплообмена при кипении на модифицированных поверхностях, полученных методом спекания металлических микросфер
15
Крутянский Л.М., Преображенский В.Л.
Функциональное преобразование сигналов в стрейнтронной наноструктуре антиферромагнетик-пьезоэлектрик
20
Баранникова С.А., Лаврентьева П.В., Колосов С.В., Зуев Л.Б.
Вариации плотности подвижных дислокаций в условиях термической активации
25
Андрианова К.А., Куомалибиекэ А., Попов И.А., Хамидуллин О.Л., Амирова Л.М.
Теплопроводность эпоксидных пенопластов на основе терморасширяющихся микросфер
29
Слипченко С.О., Шамахов В.В., Кондратов М.И., Николаев Д.Н., Подоскин А.А., Шушканов И.В., Пихтин Н.А.
Электролюминесценция квантовых ям InGaAs (1017 nm) в инжекционных гетероструктурах AlGaAs/GaAs, выращенных на подложках Si методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
35
Кукаев А.С., Сорвина М.А.
Теоретический анализ влияния условий закрепления на чувствительность пассивного беспроводного акселерометра на поверхностных акустических волнах
40
Якушев П.Н., Тихонова Л.В., Перцев Н.А.
Термоиндуцированный деформационный переход при растяжении ориентированного поливинилиденфторида
44
Резник Р.Р., Андреева А.С., Котляр К.П., Илькив И.В., Лендяшова В.В., Гридчин В.О., Манташян П.А., Сюй А.В., Кулагина А.С., Хребтов А.И., Сошников И.П., Большаков А.Д., Цырлин Г.Э.
Аксиальные гетероструктуры на основе InAs/AlGaAs нитевидных нанокристаллов, полученные с помощью низкотемпературной молекулярно-пучковой эпитаксии
49
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2026
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme