"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


Памяти Фирудина Мамед Али оглу Гашимзаде

Памяти Жореса Ивановича Алфёрова


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2010, выпуск 1
Влияние температуры роста на свойства прозрачных проводящих пленок ZnO, легированных галлием (214)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (173)
Год 2017, выпуск 4
Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния (149)
Год 1997, выпуск 10
Оптимизация режимов работы термоэлементов с учетом нелинейности температурного распределения (131)
Год 1997, выпуск 11
Анизотропные термоэлементы О б з о р (129)
Год 1997, выпуск 9
Спектры фотолюминесценции и фотовозбуждения пористого кремния, подвергнутого анодному окислению и травлению (125)
Год 1997, выпуск 11
Разогрев двумерного электронного газа электрическим полем поверхностной акустической волны (124)
Год 1997, выпуск 9
Эффект "кулоновской ямы" в спектрах поглощения и магнитопоглощения напряженных гетероструктур (In,Ga)As/GaAs (124)
Год 1997, выпуск 9
Сравнение подвижности равновесных и неравновесных носителей заряда в пленках поликристаллического синтетического алмаза и аморфного алмазоподобного углерода (122)
Год 1997, выпуск 10
Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием (121)
Год 1997, выпуск 12
Усиление излучения дальнего инфракрасного диапазона горячими дырками в германии в скрещенных электрическом и магнитном полях (121)
Год 1997, выпуск 9
Исследование пористого кремния, полученного имплантацией ионов криптона и лазерным отжигом (120)
Год 1996, выпуск 1
Оптические свойства монокристаллов сульфида и селенида тербия (118)
Год 1997, выпуск 11
Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами (118)
Год 1997, выпуск 10
Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах (117)