"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


Памяти Жореса Ивановича Алфёрова

К 75-летию Бахыш Халил-оглы Байрамова


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2017, выпуск 4
Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния (87)
Год 2011, выпуск 5
Characteristics Study of 2DEG Transport Properties of AlGaN/GaN and AlGaAs/GaAs-based HEMT (80)
Год 2003, выпуск 4
Исследование слоев пористого кремния лазерным ультразвуковым методом (68)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (67)
Год 2004, выпуск 6
Высокочастотная барьерная емкость контакта металл--полупроводник и резкого p-n-перехода (64)
Год 2013, выпуск 10
Оптические свойства пленок ITO, полученных высокочастотным магнетронным напылением с сопутствующей ионной обработкой (63)
Год 2003, выпуск 10
Нанотранзисторы кремний-на-изоляторе: перспективы и проблемы реализации (58)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (57)
Год 2012, выпуск 1
Экспериментальное исследование умножителей частоты на полупроводниковых сверхрешетках в терагерцовом диапазоне частот (53)
Год 2004, выпуск 6
Магнитные свойства углеродных структур О б з о р (48)
Год 2016, выпуск 7
Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель (47)
Год 2019, выпуск 9
Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры (47)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (46)
Год 2010, выпуск 10
Пространственно-одномодовый полупроводниковый лазер на InAs/InGaAs-квантовых точках с дифракционным фильтром оптических мод (41)
Год 2005, выпуск 10
Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe (41)