"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


К 90-летнему юбилею академика Российской академии наук Александра Александровича Каплянского

К 80-летнему юбилею Владимира Алексеевича Сабликова


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (105)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (98)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (77)
Год 2019, выпуск 3
Открытие полупроводников AIIIBV: физические свойства и применение (О б з о р) (72)
Год 2010, выпуск 5
Начальные этапы становления полупроводниковой электроники в СССР (К 60-летию открытия транзистора) О б з о р (70)
Год 2016, выпуск 9
Методы определения ширины запрещенной зоны полупроводниковых структур с p-n-переходами (68)
Год 2017, выпуск 4
Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния (60)
Год 2004, выпуск 6
Магнитные свойства углеродных структур О б з о р (56)
Год 2013, выпуск 8
Быстродействующие фотодиоды для средней инфракрасной области спектра 1.2 -2.4 мкм на основе гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb с полосой пропускания 2-5 ГГц (52)
Год 2011, выпуск 3
Исследование свойств монокристаллического алмаза, выращенного из газовой фазы на подложках из природного алмаза (52)
Год 2001, выпуск 3
Электрические и оптические свойства мономерных и полимеризованных фуллеренов О б з о р (46)
Год 2005, выпуск 10
Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe (46)
Год 2012, выпуск 4
Поглощательная способность полупроводников, используемых в производстве солнечных панелей (43)
Год 1997, выпуск 4
Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации (43)
Год 2015, выпуск 10
Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления (41)