"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


Памяти Жореса Ивановича Алфёрова

К 75-летию Бахыш Халил-оглы Байрамова


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2016, выпуск 6
Зависимость проводимости от толщины активной области в тонкопленочных диодах Шоттки на GaAs (280)
Год 2016, выпуск 9
Диффузия галогенов на Ga-стабилизированной zeta-GaAs(001)-(4x2) поверхности (246)
Год 2018, выпуск 10
Моделирование уровней размерного квантования Si-нанокристаллов в матрице SiO2: подбор параметров эмпирического метода сильной связи (244)
Год 2003, выпуск 11
Гальваномагнитные эффекты в атомно-разупорядоченных соединениях HgSe1-xSx (238)
Год 2012, выпуск 3
Об энергетических уровнях серебра в твердых растворах Ge-Si (237)
Год 2001, выпуск 11
Влияние примеси висмута на концентрацию носителей тока в эпитаксиальных слоях PbSe : Bi : Se (219)
Год 1997, выпуск 4
Времена рассеяния частицы на одномерных потенциальных барьерах (216)
Год 1991, выпуск 8
Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и In: влияние дефектов и затухание плазмофонона (210)
Год 1997, выпуск 9
Эффект "кулоновской ямы" в спектрах поглощения и магнитопоглощения напряженных гетероструктур (In,Ga)As/GaAs (204)
Год 2015, выпуск 5
Особенности одноосной упругой деформации кристаллов p-Si, облученных рентгеновскими лучами (197)
Год 2017, выпуск 11
Гигантский эффект выпрямления терагерцового излучения в периодических графеновых плазмонных структурах (186)
Год 2013, выпуск 4
Юрий Васильевич Копаев (21.10.1937-24.12.2012) (186)
Год 2010, выпуск 9
Исследование границы раздела слой--подложка в структурах Si-SiO2-p-Si с кремниевыми квантовыми точками методом температурных зависимостей фотоэдс (182)
Год 2016, выпуск 5
Роль эффекта накопления тепла в многоимпульсных режимах лазерной фемтосекундной структуризации кремния (181)
Год 2002, выпуск 8
Виктор Ильич Фистуль (к семидесятипятилетию со дня рождения ) (180)