"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


Памяти Жореса Ивановича Алфёрова

К 75-летию Бахыш Халил-оглы Байрамова


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (119)
Год 2017, выпуск 4
Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния (116)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (115)
Год 2002, выпуск 3
Оптические свойства ультрадисперсных частиц CdSexTe1-x (0=<q x=<q 1) в матрице силикатного стекла (61)
Год 2016, выпуск 12
К юбилею главного редактора журнала академика Роберта Арнольдовича Суриса (59)
Год 2001, выпуск 7
Спектры и квантовый выход излучения светодиодов с квантовыми ямами на основе гетероструктур из GaN --- зависимость от тока и напряжения * (51)
Год 2005, выпуск 10
Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe (51)
Год 2017, выпуск 7
Термоэлектрические материалы для различных температурных уровней (49)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (48)
Год 2019, выпуск 3
Открытие полупроводников AIIIBV: физические свойства и применение (О б з о р) (48)
Год 2010, выпуск 5
Начальные этапы становления полупроводниковой электроники в СССР (К 60-летию открытия транзистора) О б з о р (45)
Год 2008, выпуск 11
Модель термического окисления кремния на фронте объемной реакции (44)
Год 2005, выпуск 11
Применимость упрощенной модели Шокли--Рида--Холла для полупроводников с различными типами дефектов (44)
Год 2016, выпуск 9
Методы определения ширины запрещенной зоны полупроводниковых структур с p-n-переходами (44)
Год 2020, выпуск 9
Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы (43)