"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


К 90-летнему юбилею академика Российской академии наук Александра Александровича Каплянского

К 80-летнему юбилею Владимира Алексеевича Сабликова


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2021, выпуск 8
Подавление эффекта квазинасыщения вольт-амперных характеристик мощных сверхвысокочастотных латеральных транзисторов (250)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (125)
Год 2003, выпуск 8
Одномодовые быстроперестраиваемые лазеры для диодно-лазерной спектроскопии (124)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (98)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (87)
Год 2016, выпуск 9
Методы определения ширины запрещенной зоны полупроводниковых структур с p-n-переходами (80)
Год 2004, выпуск 6
Магнитные свойства углеродных структур О б з о р (74)
Год 2001, выпуск 3
Электрические и оптические свойства мономерных и полимеризованных фуллеренов О б з о р (70)
Год 2019, выпуск 3
Открытие полупроводников AIIIBV: физические свойства и применение (О б з о р) (67)
Год 1998, выпуск 4
Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры О б з о р (61)
Год 2017, выпуск 4
Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния (61)
Год 2021, выпуск 8
Легирование углеродных нанослоев, выращенных импульсным лазерным методом (60)
Год 2021, выпуск 8
Фотопроводимость и поглощение инфракрасного излучения в квантовых ямах p-GaAs/AlGaAs (58)
Год 2021, выпуск 8
Оптические и электронные свойства пассивированных поверхностей InP(001) (54)
Год 2009, выпуск 1
Коэффициент неидеальности вольт-амперных характеристик p-n-переходов в сильном сверхвысокочастотном поле (47)