"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


Памяти Ирины Николаевны Яссиевич

Памяти Жореса Ивановича Алфёрова


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2010, выпуск 5
Начальные этапы становления полупроводниковой электроники в СССР (К 60-летию открытия транзистора) О б з о р (192)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (109)
Год 2001, выпуск 9
Численное моделирование собственных дефектов в SiO2 и Si3N4 (100)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (79)
Год 1999, выпуск 3
Диффузия легирующих примесей из полимерных диффузантов и применение этого метода в технологии полупроводниковых приборов О б з о р (72)
Год 2015, выпуск 10
Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления (70)
Год 2019, выпуск 3
Открытие полупроводников AIIIBV: физические свойства и применение (О б з о р) (70)
Год 2016, выпуск 9
Методы определения ширины запрещенной зоны полупроводниковых структур с p-n-переходами (67)
Год 2014, выпуск 11
Структура и оптические свойства тонких пленок Al2O3, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs(100) (66)
Год 2018, выпуск 9
Структура и электрические свойства пленок на основе оксида олова, легированных цирконием (64)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (63)
Год 1997, выпуск 4
Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации (61)
Год 2005, выпуск 10
Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe (58)
Год 2013, выпуск 3
Функциональный состав поверхности и сенсорные свойства ZnO, Fe2O3 и ZnFe2O4 (58)
Год 1998, выпуск 4
Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры О б з о р (56)