"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


К 90-летнему юбилею академика Российской академии наук Александра Александровича Каплянского


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (111)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (93)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (67)
Год 2005, выпуск 10
Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe (64)
Год 2014, выпуск 7
Определение диффузионной длины неосновных носителей заряда в полупроводнике по динамическим неравновесным вольт-амперным характеристикам МДП структур (64)
Год 2001, выпуск 9
Численное моделирование собственных дефектов в SiO2 и Si3N4 (61)
Год 2021, выпуск 4
О ширине запрещенной зоны AgSbSe2 (60)
Год 2016, выпуск 9
Методы определения ширины запрещенной зоны полупроводниковых структур с p-n-переходами (58)
Год 2015, выпуск 10
Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления (54)
Год 2011, выпуск 10
Ширина запрещенной зоны кристаллов CdTe и Cd0.9Zn0.1Te (49)
Год 1998, выпуск 4
Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры О б з о р (48)
Год 2013, выпуск 3
Функциональный состав поверхности и сенсорные свойства ZnO, Fe2O3 и ZnFe2O4 (48)
Год 2005, выпуск 11
Применимость упрощенной модели Шокли--Рида--Холла для полупроводников с различными типами дефектов (47)
Год 2020, выпуск 7
Модификация атомной и электронной структуры поверхности полупроводников АIIIВV на границе с растворами электролитов О б з ор (45)
Год 2001, выпуск 3
Электрические и оптические свойства мономерных и полимеризованных фуллеренов О б з о р (45)