"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.

Запрещается использование материалов сайта журнала "Физика и техника полупроводников" в коммерческих целях, а также передача этих материалов третьим лицам для коммерческого использования.

Роберт Арнольдович Сурис (к 85-летию со дня рождения)


Уважаемые авторы!

ФТИ им. А.Ф. Иоффе испытывает глубокую обеспокоенность из-за заявления издательства Pleiades Publishing от 14 марта 2022 г. о приостановке выполнения существующих соглашений с учреждениями в Российской Федерации, находящимися в государственной собственности или под государственным управлением: https://www.pleiades.online/ru/publishers/news/70/. Согласно действующим Лицензионным соглашениям, этот акт издательства Pleiades Publishing делает невозможным издание и опубликование переводных версий научных журналов Института. В качестве вынужденной ответной меры Институт также приостанавливает выполнение Лицензионных соглашений, заключенных с этим издательством.

В случае невозвращения Pleiades Publishing к исполнению Лицензионных соглашений в самое ближайшее время, Институт оставляет за собой право самостоятельного издания англоязычных переводных версий своих журналов. При этом Институт предпримет все необходимые усилия для продолжения индексации издаваемых им журналов в базах данных Web of Science и Scopus.

13 апреля 2022 г.
Уважаемые авторы!

Из-за постоянных нарушений Лицензионного договора со стороны Pleiades Publishing, редакция журнала "Физика и техника полупроводников" и дирекция ФТИ им. А.Ф. Иоффе, как их издателя и соучредителя, категорически возражают против прямых контактов Pleiades Publishing c авторами опубликованных на русском языке статей и просят авторов решать вопросы о публикации англоязычных версий своих статей только через редакцию Журнала.

11 апреля 2022 г.
Уважаемые авторы!

С большим сожалением редколлегия журнала ”Физика и техника полупроводников“ вынуждена констатировать, что начиная с третьего выпуска 2021 года компания ”Pleiades Publishing, Inc.“ прекратила выставлять на своем сайте и сайте компании-распространителя Springer журнал ”Semiconductors“ с переводными версиями статей из нашего российского журнала. Это было сделано несмотря на то, что редколлегия журнала отправляла все подготовленные статьи на русском языке для перевода на английский язык своевременно, в полном согласии в условиями Лицензионного соглашения. Такие действия представляют собой грубейшее нарушение Лицензионного соглашения между компанией ”Pleiades Publishing, Inc.“ и Соучредителями журнала в лице РАН и ФТИ им.А.Ф.Иоффе. Главный редактор журнала, а также ФТИ им. А.Ф.Иоффе как Издатель и Соучредитель журнала ”Физика и техника полупроводников“ неоднократно письменно обращались к президенту компании ”Pleiades Publishing, Inc.“ г-ну А. Е. Шусторовичу с законным требованием о выставлении всех отправленных ранее номеров журнала на сайте ”Semiconductors“, но безрезультатно. Это вынудило редколлегию прервать дальнейшую отправку статей в компанию начиная с одиннадцатого номера 2021 года. В настоящее время ФТИ им. А. Ф. Иоффе предпринимает практические шаги к самостоятельному изданию номеров журнала ”Semiconductors“ 2022 года на английском языке с размещением их на журнальном портале института. Невыставленные компанией ”Pleiades Publishing, Inc.“ номера журнала ”Semiconductors“ 2021 года будут также выставлены на журнальном портале института в течение первой половины следующего года. Редколлегия журнала приносит искренние извинения за вынужденный сбой в издании английской версии нашего журнала.

Редколлегия
Уважаемые авторы!

С сентября 2021 года журнал ”Физика и Техника Полупроводников“ переходит на электронную подачу статей исключительно через онлайн систему Open Journal System (OJS). Для подачи статьи необходимо пройти по ссылке: https://ojs.ioffe.ru/index.php/ftp/submissions и после регистрации в системе следовать инструкциям.

При возникновении любых вопросов просьба обращаться к ответственному секретарю редколлегии Нестоклону Михаилу Олеговичу по электронной почте: nestoklon@coherent.ioffe.ru.


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2022, выпуск 8
Исследование влияния отжига и состава на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Si с множественными квантовыми ямами (97)
Год 2022, выпуск 8
Фотонное эхо в германии с мелкими донорами (93)
Год 2022, выпуск 8
Исследование особенностей нанесения нанослоев Al2O3 методом атомно-слоевого осаждения на структурированные пленки ITO (80)
Год 2019, выпуск 3
Открытие полупроводников AIIIBV: физические свойства и применение (О б з о р) (75)
Год 2022, выпуск 8
Взаимодействие электромагнитной H-волны с полупроводниковым нанослоем (71)
Год 2022, выпуск 8
Исследование кристаллического состояния слоев молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs методом генерации второй гармоники (65)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (64)
Год 2013, выпуск 11
Псевдоморфные гетероструктуры GeSn/Ge(001) (64)
Год 2015, выпуск 1
Гетероструктуры Ge/GeSn, выращенные на Si (100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии (63)
Год 2001, выпуск 3
Молекулярно-динамическое моделирование структурных свойств твердых растворов замещения Ge1-xSnx (60)
Год 2022, выпуск 8
Surface Plasmon Photodetectors Based on Noble Metals (59)
Год 2022, выпуск 8
Определение толщины зародышевого слоя AlN, сформированного на поверхности Al2O3(0001) в процессе нитридизации, методами РФЭС и ИК-спектроскопии (55)
Год 2017, выпуск 4
Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния (54)
Год 2022, выпуск 8
Устойчивость к электронному облучению высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур (51)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (49)