"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


К 90-летнему юбилею академика Российской академии наук Александра Александровича Каплянского

К 80-летнему юбилею Владимира Алексеевича Сабликова


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2003, выпуск 8
Одномодовые быстроперестраиваемые лазеры для диодно-лазерной спектроскопии (109)
Год 2021, выпуск 10
Термофотоэлектрические GaSb-преобразователи излучения инфракрасных селективных эмиттеров (85)
Год 2021, выпуск 10
Поперечный эффект Нернста--Эттинсгаузена в двумерном электронном газе двоякопериодической полупроводниковой сверхрешетки (65)
Год 2021, выпуск 10
XXV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г. Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия (58)
Год 2021, выпуск 10
Модификация электронных свойств поверхности n-InP(100) сульфидными растворами (54)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (54)
Год 2021, выпуск 10
Легированный кремнием GaSb, выращенный методом ГФЭМОС в широком диапазоне соотношений V/III (53)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (52)
Год 2021, выпуск 10
Структурные и электрофизические свойства пленок PbS, легированных Cr3+ в процессе химического осаждения (50)
Год 2021, выпуск 10
Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов (49)
Год 2021, выпуск 10
Impact of (Pr, Dy) co-doping at Bi site on optical and multiferroic properties of BiFeO3 ceramics prepared by sonochemical method (48)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (46)
Год 2017, выпуск 4
Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния (45)
Год 2021, выпуск 10
Замещение фосфора на поверхности InP(001) при отжиге в потоке мышьяка (44)
Год 2021, выпуск 10
Фотонные кристаллы BaTiO3/SiO2, сформированные золь-гель методом (43)