"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


К 90-летнему юбилею академика Российской академии наук Александра Александровича Каплянского

К 80-летнему юбилею Владимира Алексеевича Сабликова


Уважаемые авторы!

С сентября 2021 года журнал ”Физика и Техника Полупроводников“ переходит на электронную подачу статей исключительно через онлайн систему Open Journal System (OJS). Для подачи статьи необходимо пройти по ссылке: https://ojs.ioffe.ru/index.php/ftp/submissions и после регистрации в системе следовать инструкциям.

При возникновении любых вопросов просьба обращаться к ответственному секретарю редколлегии Нестоклону Михаилу Олеговичу по электронной почте: nestoklon@coherent.ioffe.ru.


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2003, выпуск 8
Одномодовые быстроперестраиваемые лазеры для диодно-лазерной спектроскопии (117)
Год 2001, выпуск 3
Электрические и оптические свойства мономерных и полимеризованных фуллеренов О б з о р (111)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (71)
Год 2015, выпуск 10
Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов (68)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (64)
Год 2008, выпуск 10
О параметрах образования вакансий в кристаллах подгруппы углерода (62)
Год 2019, выпуск 3
Открытие полупроводников AIIIBV: физические свойства и применение (О б з о р) (62)
Год 2004, выпуск 6
Магнитные свойства углеродных структур О б з о р (61)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (55)
Год 2021, выпуск 11
Сравнение гетероструктур АIIIВV, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs (53)
Год 2005, выпуск 11
Применимость упрощенной модели Шокли--Рида--Холла для полупроводников с различными типами дефектов (51)
Год 2011, выпуск 3
Структуры кремний-на-изоляторе с азотированным захороненным слоем SiO2: метод создания и свойства (50)
Год 2002, выпуск 9
Эдуард Мушегович Казарян (к шестидесятилетию со дня рождения ) (47)
Год 1997, выпуск 4
Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации (45)
Год 2012, выпуск 3
Морфология поверхности и электрические свойства гибридных структур, сформированных на основе слоистого полупроводника с наноразмерными сегнетоэлектрическими включениями Au/Ni/<C>/n-Ga2O3/p -GaSe<KNO3> (45)