"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


Памяти Ирины Николаевны Яссиевич

Памяти Жореса Ивановича Алфёрова


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2010, выпуск 5
Начальные этапы становления полупроводниковой электроники в СССР (К 60-летию открытия транзистора) О б з о р (149)
Год 2017, выпуск 4
Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния (88)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (87)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (86)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (74)
Год 2009, выпуск 7
Работа полупроводникового прерывателя при микросекундном времени накачки и низкой плотности тока (60)
Год 1989, выпуск 7
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si (59)
Год 2016, выпуск 9
Методы определения ширины запрещенной зоны полупроводниковых структур с p-n-переходами (54)
Год 2019, выпуск 3
Открытие полупроводников AIIIBV: физические свойства и применение (О б з о р) (52)
Год 2018, выпуск 3
Формирование кристаллических слоев Cu2O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация (52)
Год 2016, выпуск 12
К юбилею главного редактора журнала академика Роберта Арнольдовича Суриса (51)
Год 2020, выпуск 12
Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (О б з о р) (51)
Год 2018, выпуск 9
Структура и электрические свойства пленок на основе оксида олова, легированных цирконием (50)
Год 2005, выпуск 10
Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe (46)
Год 2015, выпуск 10
Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов (45)