"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


Захарий Фишелевич Красильник - к 70-летию со дня рождения

К 70-летию со дня рождения профессора Болотова Валерия Викторовича


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2010, выпуск 1
Влияние температуры роста на свойства прозрачных проводящих пленок ZnO, легированных галлием (354)
Год 2017, выпуск 4
Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния (135)
Год 1999, выпуск 3
Поляризационная фоточувствительность гетеропереходов GaN/Si (120)
Год 2015, выпуск 5
Плотность состояний неупорядоченного эпитаксиального графена (105)
Год 2011, выпуск 2
Влияние водорода на локальную фазовую сепарацию в тонких слоях InGaN и свойства светодиодных структур на их основе (100)
Год 2012, выпуск 2
Numerical simulation of optical feedback on a quantum dot lasers (94)
Год 1991, выпуск 1
Некоторые особенности диффузии и дрейфа неравновесных носителей в CdCr2Se4 (79)
Год 2003, выпуск 11
1.7--1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур (77)
Год 2001, выпуск 8
Роль свинца при выращивании твердых растворов Ga1-XInXAsYSb1-Y методом жидкофазной эпитаксии (77)
Год 2016, выпуск 9
Синтез и исследование свойств тонких пленок TiO2, легированных наночастицами серебра, для просветляющих покрытий и прозрачных контактов фотопреобразователей (73)
Год 2008, выпуск 1
Высокотемпературные матрицы детекторов ядерного излучения на основе 4H-SiC ионно-легированных p+-n-переходов (70)
Год 1998, выпуск 7
К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике при определении переходного сопротивления омических контактов (66)
Год 2015, выпуск 3
Влияние наноразмерных слоев диоксида олова на эффективность пленочных солнечных элементов на основе CdS/CdTe (65)
Год 2003, выпуск 8
Рамановская и инфракрасная спектроскопии нанокристаллов GaN, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на оксидированном кремнии (65)
Год 1993, выпуск 3
Электрические свойства слоистых монокристаллов MnGaInS4 (63)