Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности температурной стабильности сопротивления омических контактов к наногетероструктурам на основе GaAs и GaN

DOI: 10.21883/FTP.2021.12.51716.9603

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.14.53873.9603

Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Научно-технологическое развитие Российской Федерации, 075-11-2019-068

Егоркин В.И.

¹, Земляков В.Е.

¹, Неженцев А.В.

¹, Зайцев А.А.

¹, Гармаш В.И.¹

¹Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

Email: alekseyy_nejencev@rambler.ru

Поступила в редакцию: 13 января 2021 г.

В окончательной редакции: 26 июля 2021 г.

Принята к печати: 17 августа 2021 г.

Выставление онлайн: 14 сентября 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование температурной зависимости сопротивления омических контактов на основе металлизации Ge/Au/Ni/Au к наногетероструктурам арсенида галлия (GaAs), а также на основе металлизаций Ti/Al/Ni/Au к наногетероструктурам нитрида галлия (GaN) на кремниевой подложке. Установлено, что оптимизация методов вжигания позволяет получать омические контакты с токопереносом по закону, соответствующему механизму полевой эмиссии. Показано, что термостабильность омических контактов для транзисторов и мезарезисторов проявляет пороговое поведение в зависимости от температуры термообработки, и выявлен оптимум по температурной стабильности и минимуму контактного сопротивления. Ключевые слова: омический контакт, арсенид галлия, нитрид галлия.

F. Iucolano, G. Greco, F. Roccaforte. Appl. Phys. Lett., 103 (20), 201604 (2013)
Z.H. Liu, S. Arulkumaran, G.I. Ng. Appl. Phys. Lett., 94 (14), 142105 (2009)
T.C. Shen, G.B. Gao, H. Morkoc. J. Vacuum Sci. \& Technol. B: Microelectron. and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena, 10 (5), 2113 (1992)
P.H. Hao, L.C. Wang, F. Deng, S.S. Lau, J.Y. Cheng. J. Appl. Phys., 79 (8), 4211 (1996)
A.M. Crook, E. Lind, Z. Griffith, M.J. Rodwell, J.D. Zimmerman, A.C. Gossard, S.R. Bank. Appl. Phys. Lett., 91 (19), 192114 (2007)
M. Murakami. Sci. Technol. Adv. Mater., 3 (1), 1 (2002)
A. Callegari, E.T.S. Pan, M. Murakami. Appl. Phys. Lett., 46 (12), 1141 (1985)
Z. Fan, S.N. Mohammad, W. Kim, O. Aktas, A.E. Botchkarev, H. Morko c. Appl. Phys. Lett., 68, 1672 (1996)
A.N. Bright, P.J. Thomas, M. Weyland, D.M. Tricker, C.J. Humprhreys, R. Davies, J. Appl. Phys., 89, 3143 (2001)
A. Motayed, R. Bathe, M.C. Wood, O.S. Diouf, R.D. Vispute, S.N. Mohammad. J. Appl. Phys., 93, 1087 (2003)
M.W. Fay, G. Modlovan, N.J. Weston, P.D. Brown, I. Harrison, K.P. Hilton, A. Masterton, W. Wallis, R.S. Balmer, M.J. Uren, T. Martin. J. Appl. Phys., 96, 5588 (2004)
J.S. Kwak, S.E. Mohney, J.Y. Lin, R.S. Kern. Semicond. Sci. Technol., 15, 756 (2000)
C.L. Wu, J.C. Wang, M.H. Chan, T.T. Chen, S. Gwo. Appl. Phys. Lett., 83 (22), 4530 (2003)
T.A. Rawdanowicz, J. Narayan. Appl. Phys. Lett., 85 (1), 133 (2004)
J. Komiyama, Y. Abe, S. Suzuki, H. Nakanishi. Appl. Phys. Lett., 88 (9), 091901 (2006)
Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
F. Iucolano, F. Roccaforte, A. Alberti, C. Bongiorno, S. Di Franco, V. Raineri. J. Appl. Phys., 100 (12), 123706 (2006)
N. Thierry-Jebali, O. Menard, C. Dubois, D. Tournier, E. Collard, C. Brylinski, F. Cayrel, D. Alquier. Mater. Sci. Forum (Trans. Tech. Publications Ltd), 711, 208 (2012)
A.A. Lakhani, R.C. Potter, D.M. Beyea. Semicond. Sci. Technol., 3 (6), 605 (1988)
G.S. Marlow, M.B. Das, L. Tongson. Solid-State Electron., 26 (4), 259 (1983)
Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. ЖТФ, 77 (2), 140 (2007)
А.В. Неженцев, В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, В.И. Гармаш. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, N 2--3, 96 (2015)
В.И. Егоркин, В.Е. Земляков, А.В. Неженцев, В.И. Гармаш. Микроэлектроника, 46 (4), 295 (2017)
В.И. Егоркин, В.Е. Земляков, А.В. Неженцев, В.И. Гармаш. Изв. вузов. Электроника, 23 (1), 15 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель