Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1996, выпуск 2
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1996, том 30, выпуск 2
Овсюк В.Н., Васильев В.В., Захарьяш Т.И., Ремесник В.Г., Студеникин С.А., Сусляков А.О., Талипов Н.Х., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Либерман В.Г., Варавин В.С.
Планарные фотодиоды на основе эпитаксиальных слоев Cd
x
Hg
1- x
Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
193
Аверкиев Н.С., Шик А.Я.
Контактные явления в квантовых нитях и пористом кремнии
199
Чубаров А.А., Мымрин В.Ф., Резников Б.И.
Исследование кинетических характеристик плазмы горячих фотоносителей и внутренней квантовой эффективности фотодиода методом Монте-Карло
208
Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Салихов Х.М., Мередов М.М., Язлыева А.И.
Электрические свойства диодных структур металл--полупроводник на основе разупорядоченных слоев GaP
220
Кудоярова В.Х., Аверьянов В.Л., Чернышов А.В., Звонарева Т.К.
Особенности ближнего и среднего порядков в пленках a-C : H, обнаруживающих фотоиндуцированный эффект
227
Бедный Б.И., Байдусь Н.В.
Пассивация поверхности GaAs при обработке в парах фосфина
236
Шаховцова С.И.
Перенос электронов в твердых растворах Ge
1- x
Si
x
в слабых электрических полях
244
Конончук О.В., Орлов В.И., Феклисова О.В., Якимов Е.Б., Ярыкин Н.А.
Формирование спектра глубоких уровней в пластически деформированном кремнии в процессе расширения дислокационных петель
256
Маркевич В.П., Мурин Л.И.
Особенности начальной кинетики накопления термодоноров в кристаллах Si<O>, насыщенных водородом
265
Расулов Р.Я., Хашимов Г.Х., Холиддинов Х.
Линейно-циркулярный дихроизм нелинейного поглощения света в n-GaP
274
Соловьев В.Н.
О природе туннельных состояний в аморфных тетраэдрических полупроводниках
278
Акулович Н.И., Быковский В.А., Карпович Л.М., Утенко В.И., Шох В.Ф., Петренко В.В.
Введение акцепторных примесей при фотоядерном легировании арсенида галлия
285
Мак В.Т.
Зависимость темновой проводимости монокристаллов CdS от энергии облучающих электронов
292
Cheng T.S., Jenkins L.C., Hooper S.E., Foxon C.T., Бер Б.Я., Меркулов А.В., Новиков С.В., Третьяков В.В.
Распределение примесей в слоях GaN, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
296
Ильяшенко И.Н., Строкан Н.Б.
К вопросу о времени жизни носителей в треках alpha-частиц при диффузионно-дрейфовом переносе в Si
302
Расулов Р.Я., Хашимов Г.Х., Холиддинов Х.
Эффект увлечения при трехфотонном поглощении циркулярно поляризованного света в p-Ge
309
Онаркулов К.Э.
Влияние одноосной деформации на проводимость и фотопроводимость пленок PbS
315
Войтенко В.А.
Взаимосвязь индуцированной гиротропии и рассеяния света флуктуациями спиновой плотности в полупроводниках A
III
B
V
319
Немов С.А., Мусихин С.Ф., Прошин В.И.
Влияние добавок In на электрофизические свойства тонких пленок Sn
0.8
Ge
0.2
Te, полученных методом лазерного напыления
324
Дроздова И.А., Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Шейнкман М.К.
Природа метастабильных центров, ответственных за аномальную температурную зависимость проводимости грани (0001) кристаллов CdS
328
Зайнабидинов С.З., Исламов С.А., Сафина В.М.
Определение концентрации изовалентной примеси в эпитаксиальных слоях фосфида индия
331
Чалдышев В.В., Якушева Н.А.
Фотолюминесценция легированного оловом GaAs, выращенного жидкофазной эпитаксией из смешанного Ga--Bi растворителя
335
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Сергинов М.
Поляризация донорно-акцепторной фотолюминесценции монокристаллов p-CdSiAs
2
<In>
346
Алферов Ж.И., Берт Н.А., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Копьев П.С., Косогов А.О., Крестников И.Л., Леденцов Н.Н., Лунев А.В., Максимов М.В., Сахаров А.В., Устинов В.М., Цацульников А.Ф., Шерняков Ю.М., Бимберг Д.
Инжекционный гетеролазер на основе массивов вертикально связанных квантовых точек InAs в матрице GaAs
351
Алферов Ж.И., Гордеев Н.Ю., Зайцев С.В., Копьев П.С., Кочнев И.В., Комин В.В., Крестников И.Л., Леденцов Н.Н., Лунев А.В., Максимов М.В., Рувимов С.С., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Шерняков Ю.М., Бимберг Д.
Низкопороговый инжекционный гетеролазер на квантовых точках, полученный методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
357
Бессолов В.Н., Иванков А.Ф., Коненкова Е.В., Лебедев М.В., Стрыканов В.С.
Кинетика пассивации поверхности GaAs (100) в водных растворах сульфида натрия
364
Шикина Ю.В., Шикина Н.И.
Плотность дырок в пластически деформированном n-германии
374
Власенко А.И., Любченко А.В., Чалая В.Г.
Эволюция структурных макродефектов в твердых растворах Cd
x
Hg
1- x
Te
377
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук