Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Пассивация поверхности GaAs при обработке в парах фосфина
Бедный Б.И.1, Байдусь Н.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 29 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.
Показано, что термообработка GaAs в парах фосфина, проведенная in situ в установке для газофазной эпитаксии методом MOCVD, сразу после завершения процесса газофазной эпитаксии приводит к пассивации поверхности эпитаксиального слоя. На фосфидированной поверхности обнаружен эффект "открепления" уровня Ферми, проявляющийся в значительном уменьшении плотности поверхностных состояний и приповерхностного изгиба зон. Электрофизические параметры пассивированной поверхности стабильны при длительном (несколько месяцев) хранении образцов на воздухе. Пассивирующее действие фосфидной обработки обусловлено формированием поверхностного слоя GaP, препятствующего окислению GaAs.
- H. Hasegawa, H. Ohno. J. Vac. Sci. Technol., 84, 1130 (1986)
- W.E. Spicer, N. Newman, C.J. Spindt, Z. Liliental--Weber, E.R. Weber. J. Vac. Sci. Technol., A8, 2084 (1990)
- \it Physics and chemistry of III--V compound semiconductor interfases, ed. by C.W.Wilmsen. (N.Y.--London: Plenum Press, 1985) p. 465
- J.M. Woodal, P.D. Kircher, J.L. Freeouf, D.T. McInturff, M.R. Melloch, F.H. Pollak. Phil. Trans. R. Soc. Lond. A, 344, 521 (1993)
- P.D. Kirchner, A.C. Warren, J.M. Woodall, C.W. Wilmsen, S.L. Wright, J.M. Baker. J. Electrochem. Soc., 135, 1822 (1988)
- C.J. Sandroff, M.S. Hegde, L.A. Farrow, C.C.Chang, J.P. Harbison. Appl. Phys. Lett., 54, 362 (1989)
- J.A. Silberman, T.J. de Lyon, J.M. Woodall. Appl. Phys. Lett., 59, 3300 (1991)
- H. Sugahara, M. Oshima, H. Oigawa, H. Shigekawa, Y. Nannichi. J. Appl. Phys. 69, 4349 (1991)
- Б.И. Бедный, Д.А. Сухих, Е.А. Ускова. Письма ЖТФ, 19, 35 (1993)
- P. Viktorovitch, M. Gendry, S.K. Krawczyk, F. Krafft. Appl. Phys. Lett., 58, 2387 (1991)
- T. Sugano, T. Yamada, K. Matsuda, J. Shirafuji. Appl. Surf. Sci., 56--58, 311 (1992)
- T. Sugano, T. Yamada, K. Kondo, H. Ninomiya, K. Matsuda, J. Shirafuji. Jap. J. Appl. Phys., 31, L1522 (1992)
- Г.С. Коротченков. Обзоры по электрон. техн. Сер. I, вып. 3 (1166) (1986)
- Г.М. Мокроусов. \it Перестройка твердых тел на границах фаз (Томск, Изд-во Томск. ун-та, 1990)
- Б.И. Бедный, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь. Поверхность. Физика, химия, механика, N 1, 94 (1991)
- И.А. Карпович, Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь, С.М. Планкина, М.В. Степихова, М.В. Шилова. ФТП, 23, 2164 (1989)
- Б.И. Бедный. Поверхность. Физика, химия, механика, N 10, 58 (1993)
- И.А. Карпович, Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Б.Н. Звонков, М.В. Степихова. ФТП, 27, 1736 (1993)
- T. Sawada, K. Numata, S. Tohdoh, S. Saitoh, H. Hasegawa. Jap. J. Appl. Phys., 32, 511 (1993)
- Б.И. Бедный, И.А. Карпович, А.Н. Савинов. Поверхность. Физика, химия, механика, N 11, 92 (1989)
- И.А. Карпович, А.Н. Калинин, Б.И. Бедный, Ю.А. Бенедиктов. Изв. вузов СССР. Физика, N 3, 51 (1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
