"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Пассивация поверхности GaAs при обработке в парах фосфина
Бедный Б.И.1, Байдусь Н.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Показано, что термообработка GaAs в парах фосфина, проведенная in situ в установке для газофазной эпитаксии методом MOCVD, сразу после завершения процесса газофазной эпитаксии приводит к пассивации поверхности эпитаксиального слоя. На фосфидированной поверхности обнаружен эффект "открепления" уровня Ферми, проявляющийся в значительном уменьшении плотности поверхностных состояний и приповерхностного изгиба зон. Электрофизические параметры пассивированной поверхности стабильны при длительном (несколько месяцев) хранении образцов на воздухе. Пассивирующее действие фосфидной обработки обусловлено формированием поверхностного слоя GaP, препятствующего окислению GaAs.
  1. H. Hasegawa, H. Ohno. J. Vac. Sci. Technol., 84, 1130 (1986)
  2. W.E. Spicer, N. Newman, C.J. Spindt, Z. Liliental--Weber, E.R. Weber. J. Vac. Sci. Technol., A8, 2084 (1990)
  3. \it Physics and chemistry of III--V compound semiconductor interfases, ed. by C.W.Wilmsen. (N.Y.--London: Plenum Press, 1985) p. 465
  4. J.M. Woodal, P.D. Kircher, J.L. Freeouf, D.T. McInturff, M.R. Melloch, F.H. Pollak. Phil. Trans. R. Soc. Lond. A, 344, 521 (1993)
  5. P.D. Kirchner, A.C. Warren, J.M. Woodall, C.W. Wilmsen, S.L. Wright, J.M. Baker. J. Electrochem. Soc., 135, 1822 (1988)
  6. C.J. Sandroff, M.S. Hegde, L.A. Farrow, C.C.Chang, J.P. Harbison. Appl. Phys. Lett., 54, 362 (1989)
  7. J.A. Silberman, T.J. de Lyon, J.M. Woodall. Appl. Phys. Lett., 59, 3300 (1991)
  8. H. Sugahara, M. Oshima, H. Oigawa, H. Shigekawa, Y. Nannichi. J. Appl. Phys. 69, 4349 (1991)
  9. Б.И. Бедный, Д.А. Сухих, Е.А. Ускова. Письма ЖТФ, 19, 35 (1993)
  10. P. Viktorovitch, M. Gendry, S.K. Krawczyk, F. Krafft. Appl. Phys. Lett., 58, 2387 (1991)
  11. T. Sugano, T. Yamada, K. Matsuda, J. Shirafuji. Appl. Surf. Sci., 56--58, 311 (1992)
  12. T. Sugano, T. Yamada, K. Kondo, H. Ninomiya, K. Matsuda, J. Shirafuji. Jap. J. Appl. Phys., 31, L1522 (1992)
  13. Г.С. Коротченков. Обзоры по электрон. техн. Сер. I, вып. 3 (1166) (1986)
  14. Г.М. Мокроусов. \it Перестройка твердых тел на границах фаз (Томск, Изд-во Томск. ун-та, 1990)
  15. Б.И. Бедный, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь. Поверхность. Физика, химия, механика, N 1, 94 (1991)
  16. И.А. Карпович, Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь, С.М. Планкина, М.В. Степихова, М.В. Шилова. ФТП, 23, 2164 (1989)
  17. Б.И. Бедный. Поверхность. Физика, химия, механика, N 10, 58 (1993)
  18. И.А. Карпович, Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Б.Н. Звонков, М.В. Степихова. ФТП, 27, 1736 (1993)
  19. T. Sawada, K. Numata, S. Tohdoh, S. Saitoh, H. Hasegawa. Jap. J. Appl. Phys., 32, 511 (1993)
  20. Б.И. Бедный, И.А. Карпович, А.Н. Савинов. Поверхность. Физика, химия, механика, N 11, 92 (1989)
  21. И.А. Карпович, А.Н. Калинин, Б.И. Бедный, Ю.А. Бенедиктов. Изв. вузов СССР. Физика, N 3, 51 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.