Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1994, выпуск 1
>>>
Физика и техника полупроводников, 1994, том 28, выпуск 1
Пышная Н.Б., Тигиняну И.М., Урсаки В.В.
Уменьшение степени компенсации проводимости в эпитаксиальных слоях n-InP при облучении быстрыми электронами
3
Глазов В.М., Кольцов В.Б., Бурханов А.С.
Исследование магнитной восприимчивости халькогенидов меди и серебра в области физового перехода кристалл-расплав
7
Беркелиев А., Жиляев Ю.В., Назаров Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Наведенная поляризационная фоточувствительность в гетеропереходах n-GaP/p-Si
14
Акопян А.А., Витусевич С.А., Малютенко В.К.
Контактная эксклюзия в неоднородном электрическом поле, случай цилиндрической геометрии образца
21
Чень Чао, Быковский В.А., Тарасик М.И.
Фотолюминесценция нелегированного полуизолирующего арсенида галлия, термообработанного при избыточном давлении паров мышьяка
35
Горелкинский Ю.В., Невинный Н.Н., Люц Е.А.
Перенос водорода в субмикронных слоях SiO
2
на Si
41
Ильинский А.В., Куценко А.Б.
Определение энергии ионизации глубокого акцепторного уровня в p
0
-слое p-i-n-структуры на основе GaAs
48
Шатковский Е.В., Верлинский Я.С.
Фотомагнитоэлектрический эффект в эпитаксиальных слоях арсенида галлия при сопутствующем разогреве электронов интенсивным лазерным излучением
54
Врубель М.М.
Взаимодействие поверхностных состояний с уровнями размерного квантования в электрическом поле
60
Власенко Н.А., Семенов Ю.Г., Беляев А.Е., Белецкий А.И., Велигура Л.И., Кононец Я.Ф., Шевченко Н.В.
Влияние магнитного поля на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур с собственной памятью на основе Zn : Mn
69
Бенекинг К., Вагнер Г., Кольтер М., Куприянов Е.В., Павлов Д.А., Хохлов А.Ф.
Высокопроводящие слои микрокристаллического кремния n-типа проводимости для тандемных солнечных элементов на основе аморфного кремния: получение, структура, свойства и применение
76
Петров А.В., Петрухин А.Г.
Оптическое заряжение пористого кремния
82
Абдурахманов К.П., Витман Р.Ф., Куликов Г.С., Лебедев А.А., Утамурадова Ш.Б., Юсупова Ш.А.
Диффузные профили марганца в кремнии с различным содержанием кислорода
86
Быстров С.Д., Крещук А.М., Туан Ле, Новиков С.В., Полянская Т.А., Савельев И.Г., Шик А.Я.
Осцилляции Шубникова-де-Гааза в неоднородном двумерном электронном газе
91
Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю., Константинова Е.А., Петрова С.А.
О рекомбинации носителей заряда в пористом кремнии
100
Карпович И.А., Аншон А.В., Байдусь Н.В., Батукова Л.М., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Планкина С.М.
Применение размерно-квантовых структур для исследования дефектообразования на поверхности полупроводников
104
Гуревич Ю.Г., Логвинов Г.Н., Титов О.Ю.
Теория термоэлектрических явлений в условиях некорректности температурного приближения
113
Курова И.А., Лупачева А.Н., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н., Авакянц Л.П.
Электрические свойства пленок a-Si : H (B), облученных мощными световым импульсами
120
Игнатьев А.С., Карачевцева М.В., Мокеров В.Г., Немцев Г.З., Страхов В.А., Яременко Н.Г.
Ширина экситонной линии низкотемпературной фотолюминесценции структур In
x
Ga
1-x
As/GaAs с одиночными квантовыми ямами
125
Симашкевич А.А., Шутов С.Д.
Квазистационарная емкость контакта металл-халькогенидный стеклообразный полупроводник (Al-As
2
Se
3
)
133
Пляцко С.В., Громовой Ю.С., Кадышев С.К., Климов А.А.
Преобразование собственных и примесных дефектов в селениде свинца и твердых растворах на его основе лазерным излучением
138
Дышловенко П.Е., Копылов А.А.
Энергетические уровни двойных акцепторов в кубических полупроводниках: сферическая модель
144
Ильинский А.Б., Куценко А.Б., Мельников М.Б.
Стационарное распределение поля и пространственного заряда в объеме i-слоя p-i-n структуры на основе GaAs
150
Елфимов Л.Б., Иванов П.А.
Поверхностная емкость полупроводника с глубокой легирующей примесью (на примере p-6H-SiC<B>)
161
Забродский А.Г., Алексеенко М.В.
О влиянии спектра реактонных нейтронов на кинетику нейтронного легирования и выход трансмутационных примесей в германии
168
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук