"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотомагнитоэлектрический эффект в эпитаксиальных слоях арсенида галлия при сопутствующем разогреве электронов интенсивным лазерным излучением
Шатковский Е.В.1, Верлинский Я.С.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 30 апреля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.

Исследован фотомагнитоэлектрический эффект в эпитаксиальных слоях арсенида галлия с концентрацией свободных электронов n0=5· 1017 см-3 при комнатной температуре. Возбуждение образцов осуществлялось импульсами второй гармоники неодимового лазера с модулированной добротностью. Обнаружено, что при интенсивности возбуждения I<= 1024 кв./см2·с линейная зависимость между величиной фотосигнала и интенсивностью возбуждения переходит в сублинейный участок. Одновременно изменяется форма и динамика фотоотклика. Показано, что в этом случае фотосигнал является результатом суммирования двух эффектов --- фотомагнитоэлектрического эффекта, обусловленного градиентом концентрации неравновесных носителей заряда, и электронного термомагнитного эффекта, возникающего из-за градиента температуры электронов, разогретых лазерным излучением.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.