"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение энергии ионизации глубокого акцепторного уровня в p0-слое p-i-n-структуры на основе GaAs
Ильинский А.В.1, Куценко А.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 апреля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.

С помощью оптической регистрации пространственного распределения электрического поля, использующей эффект Франца-Келдыша, исследовалась температурная зависимость динамики поля в объеме p0-слоя-структуры после приложения напряжения запирающей полярности. На основании полученных данных определена энергия ионизации глубокого акцепторного уровня Ea-Ev=0.38± 0.05 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.