Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1989, выпуск 2
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 2
Абдуллаев М.А., Гореленок А.Т., Кохановский С.И., Макушенко Ю.М., Пуляевский Д.В., Сейсян Р.П., Штенгель К.Э.
Край оптического поглощения и деформации эпитаксиальных слоев In
0.53
Ga
0.47
As
201
Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Литовченко В.Г., Мищук О.Н.
К модели эффекта радиационно-стимулированного упорядочения в полупроводниках A
III
B
V
207
Аладашвили Д.И., Адамия З.А., Лавдовский К.Г., Левин Е.И., Шкловский Б.И.
Эффект Френкеля-Пула в области прыжковой проводимости в слабо компенсированных полупроводниках
213
Чалдышев В.В., Якушева Н.А.
Люминесценция глубоких уровней в n-GaAs : Ge, Bi
221
Бобылев Б.А., Косцов Э.Г.
Переходный ток в полупроводнике с барьерным контактом
224
Агринская Н.В., Аркадьева Е.Н., Терентьев А.И.
Влияние крупномасштабных флуктуаций потенциала на явления переноса в полуизолирующих кристаллах СdТе<Сl>
231
Гасанова А.Т., Исмаилов И.А., Мамедов Ш.Ф., Мехтиев А,Ш., Тагиев А.Г.
Длина когерентности в полупроводниковой области контакта сверхпроводник-полупроводник с учетом непараболичности зоны
236
Тимченко И.Н., Касиян В.А., Недеогло Д.Д., Симашкевич А.В.
Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в кристаллах n-ZnSe в умеренно сильных электрических полях
240
Акимов Б.А., Вертелецкий П.В., Зломанов В.П., Рябова Л.И., Тананаева О.И., Широкова Н.А.
Осцилляции Шубникова-де-Гааза в PbTe(Cr)
244
Неймаш В.Б., Сирацкий В.М., Соснин М.Г., Шаховцов В.И., Шиндич В.Л.
Влияние термодоноров на радиационное дефектообразование в кремнии
250
Антонова И.В., Васильев А.В., Панов В.И., Шаймеев С.С.
Поведение примеси золота в кремнии при радиационно-термических воздействиях
253
Пустовойт А.К., Коноплева Р.Ф., Купчишин А.И., Мукашев К.М.
Аннигиляция позитронов в разупорядоченных областях Ge и Si, облученных нейтронами
257
Иванюкович В.А., Карась В.И., Ломако В.М.
Конфигурационные перестройки бистабильных центров в ковалентных полупроводниках --- фазовые переходы второго рода
264
Терехов В.А., Кашкаров В.М., Домашевская Э.П., Арсентьев Н.Н., Иванова Т.М.
Электронное строение валентной зоны твердых растворов Al
y
Ga
1-y
As и GaAs
1-x
P
x
по данным рентгеновской спектроскопии
268
Баханова Е.В., Васько Ф.Т.
Увлечение дырок ИК излучением в одноосно деформированном полупроводнике
274
Полыгалов Ю.И., Басалаев Ю.М., Золотарев М.Л., Поплавной А.С.
Зонная структура, плотность электронных состояний и оптические свойства ZnSnSb
2
279
Дьяконова Н.В., Левинштейн М.Е.
Модель объемного шума 1/f в полупроводниках
283
Кисин М.В.
Пограничные состояния в зоне проводимости резкого гетероперехода
292
Калмыкова Н.П., Мазец Т.Ф., Сморгонская Э.А., Цэндин К.Д.
Микронеоднородности и примесная проводимость в пленках стеклообразного As
2
Se
3
, легированного Bi
297
Вагидов Н.З., Грибников З.С., Иващенко В.М.
Дрейфовая скорость горячих электронов в обогащенных слоях при нетемпературном характере их распределения по энергии
304
Горячев Д.Н., Рудь Ю.В., Таиров М.А.
Поляризационная фоточувствительность барьеров электролит-CdGeP
2
312
Городилов Н.А., Доманская Л.И., Нейфельд Э.А., Шелушинина Н.Г.
Термоэдс p-HgMnTe в магнитном поле
316
Ершова Т.П., Ершов С.Г., Жуков В.Е., Кораблев В.В., Тюкин В.Ю.
Методика и результаты исследования кинетики поверхностной ЭДС в GaAs
323
Гирка А.И., Клопиков Е.Б., Скуратов В.А., Шишкин А.В.
Исследование методом аннигиляции позитронов дефектов в монокристаллах кремния, облученных ионами ксенона
328
Лукьянчикова Н.Б.
Ударная ионизация глубоких уровней в лавинно-пролетных диодах на основе арсенида галлия
332
Банная В.Ф., Веселова Л.И., Гершензон Е.М.
Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках
338
Раданцев В.Ф., Дерябина Т.И., Завьялов В.В., Зверев Л.П., Кулаев Г.И., Хомутова С.С.
Емкость приповерхностных слоев в кейновских полупроводниках в условиях размерного и магнитного квантования
346
Аброян И.А., Алиев Б.З., Имамкулиев С.Д., Казьмин С.А., Кайданов В.И., Касаманли Г.Д.
Электрофизические свойства пленок PbTe, облученных ионами аргона
352
Книгин П.И., Мирсагатов Ш.А., Розиков X.
Фотоприемник УФ излучения на базе пленки Zn
x
Cd
1-x
S
356
Горев Н.В., Костылев С.А., Макарова Т.В., Прохоров Е.Ф., Уколов А.Т.
Немонотонность вольтъемкостной зависимости тонкопленочных полупроводниковых структур с барьером Шоттки
357
Горбунов М.В., Каминский А.С.
Экситонная люминесценция кремния, легированного фосфором и галлием в концентрациях 5·10
16
-3·10
17
см
-3
359
Бедный Б.И., Василевский М.И., Карпович И.А.
Определение приповерхностного изгиба зон по кинетике барьерно-ловушечной фотоэдс
362
Лубяная М.Д., Марончук И.Е., Юцис А.И.
Аномальное поведение затухания акустоэдс в эпитаксиальных слоях арсенида галлия
364
Гусев В.Э., Жданов Б.В., Кузнецов В.И., Петросян Е.Г., Теленков С.А.
Акустическая регистрация удержания фотовозбужденной невырожденной электронно-дырочной плазмы вблизи поверхности германия
366
Заставной А.В., Король В.М.
Взаимодействие лития с радиационными дефектами в кремнии
369
Алимпиев В.Н., Гуральник И.Р.
Импеданс фотопроводника при параметрической неустойчивости волн пространственного заряда
372
Железняк А.Т., Шмелев Г.М.
О фотостимулированном продольном магнитосопротивлении полупроводников
376
Стыс Л.Е.
Модель аномальной фотопроводимости
378
Каширская Л.М., Кучеренко И.В., Свистов А.Е.
Допустимые значения параметров уровня собственных дефектов в твердых растворах свинец-олово-селен
382
Козуб В.И.
Новые книги по полупроводникам
386
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук