"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние термодоноров на радиационное дефектообразование в кремнии
Неймаш В.Б., Сирацкий В.М., Соснин М.Г., Шаховцов В.И., Шиндич В.Л.
Выставление онлайн: 20 января 1989 г.

Методами ИК спектроскопии, нестационарной емкостной спектроскопии и по эффекту Холла исследовано влияние кислородосодержащих термодоноров (ТД), образующихся в n-Si при 450oС, на кинетику накопления A-, E- и V2-центров. Показано отсутствие влияния ТД (при NТД=1013/3·1016 см-3) на генерацию этих РД в диапазоне доз электронного (Ee=3 МэВ) облучения 1013/1.4·1018 см-2. Обнаружено аномальное уменьшение подвижности носителей тока в облученном кремнии, содержащем ТД. Полученные результаты объясняются отсутствием взаимодействия ТД с компонентами пар Френкеля, а также неоднородным распределением ТД в кремнии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.