Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1992, выпуск 2
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 2
Кайданов В.И., Немов С.А., Равич Ю.И.
Резонансное рассеяние носителей тока в полупроводниках типа A
IV
B
VI
(О б з о р)
201
Королева О.С., Чулков Е.В.
Самосогласованная релятивистская электронная структура соединений A
I
3
B
V
223
Сырбу Н.Н., Львин В.Э., Заднипру И.Б., Нойманн Х., Соботта Х., Риеде В.
Рамановские и ИК колебательные спектры в кристаллах TlGaS
2
232
Айдаралиев М.Ш., Зегря Г.Г., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.
Природа температурной зависимости пороговой плотности тока длинноволновых лазеров на основе ДГС InAsSbP/InAs и InAsSbP/InAsSb
246
Абрамян Ю.А., Папазян К.З., Стафеев В.И.
О влиянии индия на энергетический спектр Pb
1-x
Sn
x
Te
257
Белоконь С.А., Верещагина Л.Н., Иванчик И.И., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.
Характер изменения свойств PbTe<Ga> при изменении степени легирования
264
Константинов А.О.
О природе точечных дефектов генерируемых при диффузии акцепторных примесей в карбиде кремния
270
Бычкова Л.П., Даварашвили О.И., Шотов А.П.
Анализ зависимости ширины запрещенной зоны от состава Pb
1-x
Sn
x
Se
1-y
Te
y
, изопериодического с PbSe, в рамках p-модели
280
Абакумов В.Н., Резников Б.И., Царенков Г.В.
Циркулярный фотогальванический эффект в гетероваризонной структуре
284
Буль А.Я., Дидейкин А.Т., Бойцов С.К., Зинчик Ю.С., Саченко А.В.
Эффект усиления фототока в структурах полупроводник-туннельно-прозрачный диэлектрик-полупроводник
295
Иванов-Омский В.И., Петров И.А., Смирнов В.А., Ястребов С.Г.
Магнитофотолюминесценция узкощелевого полупроводника Hg
0.77
Cd
0.23
Te
305
Талипов Н.Х., Попов В.П., Ремесник В.Г., Налькина З.А.
Влияние отжига под анодным окислом на изменение состава поверхности и конверсию типа проводимости монокристаллов p-Cd
x
Hg
1-x
Te (x~=0.2)
310
Алешкин В.Я., Костин А.А., Романов Ю.А.
Температурная зависимость энергии связи экситонов Ваннье-Мотта в квантовых ямах
318
Семенов Ю.Г., Стефанович В.А.
Энергия связи экситонов в магнитосмешанных полупроводниках в магнитном поле
324
Идлис Б.Г., Усманов М.Ш.
Приграничные состояния в ограниченных полупроводниковых структурах с инвертированными зонами
329
Константинов А.О.
О причине возникновения приповерхностного плато диффузионного профиля фосфора в кремнии
339
Венгер Е.Ф., Гончаренко А.В., Дмитрук Н.Л., Прокофьев А.Ю., Фидря Н.А.
Влияние ионной имплантации компенсирующей примеси на оптические свойства n
+
-GaAs
352
Алексеева Г.Т., Земсков Б.Г., Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Уразбаева К.Т.
Роль дефектов в акцепторном легировании полупроводников типа PbTe элементами I группы
358
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Клейнфельд Ю.С., Семенова Г.Н., Хазан Л.С.
Влияние утоньшения подложки на оптические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия (эффект дальнодействия)
368
Кадыров Д.И., Минаев В.С., Франкевич Е.Л.
Магнитные спиновые эффекты на фотопроводимости аморфного As
2
Se
3
373
Кадушкин В.И., Ивашова Т.А.
Высокочувствительный датчик Холла на основе селективно-легированной гетеросистемы с 2D-электронами как четырехполюсника
384
Хлудков С.С., Толбанов О.П.
Механизм высокоскоростного переключения в арсенид-галлиевых структурах с глубокими центрами
386
Акопян А.А., Витусевич С.А., Гуга К.Ю., Малютенко В.К., Рыбак А.М.
Контактная эксклюзия в полупроводниках с анизотропной биполярной проводимостью
389
Андрухив М.Г., Белотелов С.В., Вирт И.С., Шкумбатюк П.С.
Шум дефектов обратно смещенных n
+
-p-переходов на основе Cd
x
Hg
1-x
Te
393
Арушанов Э.К., Рознован Ю.В., Шубников М.Л., Смирнов Д.В., Машовец Д.В.
Осцилляции Шубникова-де-Гааза в p-ZnSb
395
Дмитриев А.Г., Дорин В.А., Карфул Р., Погарский М.А., Шульга М.И.
Образование глубоких центров в GaAs при лазерном облучении
397
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук