"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Самосогласованная релятивистская электронная структура соединений A I3B V
Королева О.С., Чулков Е.В.
Выставление онлайн: 20 января 1992 г.

Самосогласованным релятивистским методом псевдопотенциала в приближении локальной плотности рассчитывается электронная зонная структура и исследуется характер химической связи в семнадцати соединениях A I3B V, кристаллизующихся в решетках типа F3Bi и Na3As. Релятивистские ионные псевдопотенциалы вычисляются с учетом условия сохранения нормы. Показано, что запрещенная щель в соединениях, кристаллизующихся как в кубической, так и в гексагональной решетках, меньше в случае гексагональной упаковки. Величина спин-орбитального расщепления в точке Gamma для Li3B V совпадает с таковой для свободных атомов As, Sb, Bi и уменьшается с увеличением атомного номера щелочного элемента. Учет скалярных релятивистских эффектов и спин-орбитального псевдопотенциала приводит к уменьшению величины запрещенной щели в антимонидах щелочных металлов на 0.2-0.7, в висмутидах --- на 0.9-1.2 эВ. Анализ пространственного распределения зарядовой плотности показывает наличие ковалентной составляющей связи в соединениях лития. С увеличением номера щелочного атома усиливается перенос заряда от одновалентного атома к пятивалентному, уменьшается доля ковалентной составляющей связи и усиливается доля ионной составляющей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.