"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Резонансное рассеяние носителей тока в полупроводниках типа AIVBVI (О б з о р)
Кайданов В.И., Немов С.А., Равич Ю.И.
Выставление онлайн: 20 января 1992 г.

Рассматриваются экспериментальные данные о резонансном рассеянии электронов и дырок на примесных атомах таллия, индия и других элементов, а также на собственных дефектах в полупроводниковых соединениях типа A^IVBVI. Изложению результатов исследований резонансного рассеяния предшествует краткое описание имеющейся в настоящее время информации о резонансных состояниях в рассматриваемых полупроводниках. Обсуждается влияние резонансного рассеяния на подвижность, термоэдс, эффект Нернста-Эттингсгаузена. Отмечена корреляция между проявлением резонансного рассеяния в кинетических явлениях и сверхпроводимостью в легированных полупроводниках типа AIVBVI. Описаны результаты расчетов, показывающих возможность использования резонансного рассеяния для повышения термоэлектрической эффектавности полупроводников.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.