Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1991, выпуск 2
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 2
Ильин Н.П., Мастеров В.Ф., Васильев А.Э.
Модель бинарного полупроводника на основе самосогласованного метода непрерывных дробей
185
Емцев В.В., Машовец Т.В., Полоскин Д.С.
Проявление пар Френкеля в p-германии при низкотемпературном gamma-облучении
191
Бедельбаева Г.Е., Колобов А.В., Любин В.М.
Поперечная диффузия серебра в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников
197
Васильев А.Э., Ильин Н.П., Мастеров В.Ф.
Структура волновых функций примесных центров переходных элементов в соединениях A
III
B
V
203
Воронков В.Б., Грехов И.В., Козлов В.А.
Контроль качества интерфейса методом лазерного сканирования при прямом сращивании кремниевых пластин
208
Баранюк В.Е., Махний В.П.
Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов сульфид-теллурид кадмия
217
Андриевский В.Ф., Иванюкович В.А., Карась В.И., Ломако В.М.
Особенности емкостной спектроскопии глубоких центров в диодах Шоттки
222
Александров Л.Н., Бондарева Т.В., Качурин Г.А., Тысченко И.Е.
Численное моделирование диффузии бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
227
Герчиков Л.Г., Субашиев А.В.
Влияние гофрировки энергетического спектра на размерное квантование в полупроводниках с вырожденной валентной зоной
231
Сырбу Н.Н., Львин В.Э.
Спектры комбинационного рассеяния света дифосфида кадмия вблизи фазовых переходов второго рода
238
Кольцов Г.И., Крутенюк Ю.В.
Изменение механизмов прохождения тока в контакте Au-InAs p-типа при имплантации протонов
245
Акимов Б.А., Белоконь С.А., Дашевский 3.М., Егоров К.Н., Лакеенков В.М., Никорич А.В., Рябова Л.И.
Энергетический спектр и фотопроводимость твердых растворов Pb
1-x
Mn
x
Te(Ga)
250
Исмагилова Ф.М., Литвак-Горская Л.Б., Луговая Г.Я., Трофимов И.Е.
Особенности отрицательного магнитосопротивления при проводимости по верхней зоне Хаббарда в p-Si<B>
255
Маркевич В.П., Мурин Л.И.
О центрах зарождения термодоноров в кремнии
262
Козловский В.В., Кольченко Т.И., Ломако В.М., Мороз С.Е.
Дефектообразование в n-InP при повышенных температурах облучения
267
Балтрамеюнас Р., Гульбинас В., Екимов А.И., Кудрявцев И.А., Пакальнис С., Тамулайтис Г., Чепик Д.И.
Быстрое переключение пропускания света в стеклах, активированных микрокристаллами CdS
271
Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Сиповская М.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.
Электрические и фотоэлектрические свойства узкозонных твердых растворов GaInSbAs : Mn
276
Воронина Т.И., Джуртанов Б.Е., Лагунова Т.С., Яковлев Ю.П.
Поведение примесей в твердых растворах p-GaInSbAs
283
Балландович В.С.
Акцептор скандий в 6H-SiC
287
Варданян Г.А., Багдасарян Р.И., Петросян П.Г., Григорян Л.Н.
Получение тонких пленок CdS лазерным распылением
295
Бреслер М.С., Гусев О.Б., Михайлова М.П., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П., Яссиевич И.Н.
Интерфейсная люминесценция, обусловленная надбарьерным отражением в изотипной гетероструктуре p-InAs/P-InAsPSb
298
Дружинин Ю.П., Чиркова Е.Г.
Сечение оптического поглощения мелкого донора в германии
307
Гинзбург Л.П.
Влияние температуры на фотопроводимость, обусловленную D
-
-центрами
311
Рытова Н.С.
О пассивации электрически активных центров в полупроводниках нейтральным атомарным водородом
316
Гашимзаде Н.Ф., Ивченко Е.Л.
Граничные условия и эффективная масса электронов в сверхрешетке
323
Аникин М.М., Андреев А.Н., Лебедев А.А., Пятко С.Н., Растегаева М.Г., Савкина Н.С., Стрельчук А.М., Сыркин А.Л., Челноков В.Е.
Высокотемпературный диод Шоттки Au-SiC-6H
328
Воробьев Ю.В., Захарченко В.Н., Кильчицкая С.С., Комиренко Р.П., Скрышевский В.А., Стриха В.И.
Неаддитивность и неустойчивость фототока квазиоднородных пленок аморфного кремния
334
Чайка Г.Е., Вавилов С.Е., Панфилова С.В.
Неустойчивость сильно легированного полупроводника в условиях джоулева разогрева
336
Брунков П.Н., Гайбуллаев С., Конников С.Г., Никитин В.Г., Папенцев М.И., Соболев М.М.
Дефекты с глубокими уровнями в GaAs, выращенном из раствора-расплава Ga-Bi
338
Акимов Б.А., Коробейникова Е.Н., Рябова Л.И., Тамм М.Е.
Влияние Tm на свойства теллурида свинца
342
Пятраускас М., Норейка Д., Нятикшис В., Банайтис А.
Некоторые особенности динамики ННЗ в кристаллах кремния при сильном оптическом возбуждении
344
Дряхлушин В.Ф.
Параметрическое усиление объемных и поверхностных электромагнитных волн в тонком слое полупроводниковой сверхрешетки
348
Меркулов И.А.
К теории формы линии горячей фотолюминесценции полупроводников
351
Эпштейн Э.М.
Планарный эффект Холла в полупроводниковой сверхрешетке
354
Дьяконова Н.В., Левинштейн М.Е., Румянцев С.Л.
Температурная зависимость низкочастотного шума в структурно совершенном и подвергнутом деструктивному сжанию GaAs
355
Дьяконова Н.В.
Немонотонная зависимость величины шума 1/f от интенсивности подсветки в GaAs
358
Дмитриев С.Г., Рыльков В.В., Шагимуратов О.Г.
О характере рассеяния носителей заряда на мелких нейтральных центрах в полупроводниках
360
Новые книги по полупроводникам
364
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук