"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Проявление пар Френкеля в p-германии при низкотемпературном gamma-облучении
Емцев В.В.1, Машовец Т.В.1, Полоскин Д.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.

Описаны опыты по изучению радиационного дефектообразования в особо чистом германии p-типа при низкотемпературном (4.2 K) gamma-облучении. Показано, что в очень малых концентрациях возникают дефекты [сечение их образования (2/4)·10-29 см2], отжигающиеся при 35-45 K, которые могут быть сопоставлены с близкими парами Френкеля. Дано объяснение малости величины сечения образования пар Френкеля в p-Ge. Наблюдались также дефекты акцепторного типа, предположительно идентифицируемые как дивакансии, положение которых можно оценить как Ev+0.2 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.