Исследована поперечная диффузия серебра в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП). Показано, что поперечная диффузия протекает много быстрее, если пленка ХСП нанесена на проводящий слой золота или никеля, и медленнее, если пленка нанесена на слой алюминия или непосредственно на подложку из оксидного стекла. Скорость поперечной диффузии в пленках, нанесенных на слой золота, увеличивается при уменьшении толщины пленки. Влияние подложки проявляется сильнее при термической диффузии, чем при фотодиффузии. В пленках, модифицированных висмутом и никелем, установлена корреляция между скоростью диффузии и проводимостью, а также наблюдалось сильное влияние внешнего электрического поля на скорость диффузии. Предложена микроскопическая модель процесса диффузии серебра в ХСП, основанная на рассмотрении границы легированный ХСП/нелегированный ХСП как полупроводникового гетероперехода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.