Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1994, выпуск 3
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1994, том 28, выпуск 3
Кайданов В.И., Немов С.А., Равич Ю.И.
Самокомпенсация электрически активных примесей собственными дефектами в полупроводниках типа A
IV
B
VI
Обзор
369
Абдуллаев Н.
Структурные особенности АФН пленок GaAs
394
Степуренко А.А.
Автосолитоны в антимониде индия
402
Астафьев О.В., Бузыкин А.Н., Бувальцев А.И., Мурин Д.И., Калинушкин В.П., Плоппа М.Г.
Классификация крупномасштабных примесных скоплений в кремнии, выращенном методом Чохральского и легированном бором
407
Караваев Г.Ф., Ткаченко Е.А., Уйманов Е.В.
Исследование квазибаллистической неустойчивости в структурах из InP
416
Шахвердиев Э.М., Садыхов Э.А.
Процессы генерации, рекомбинации и ионизации в кристаллах кремния и германия: кинетика неравновесных носителей
424
Берковиц В.Л., Лантратов В.М., Львова Т.В., Шакиашвили Г.А., Улин В.П., Паже Д.
Жидкофазная эпитаксия на поверхностях Al
x
Ga
1-x
As, пассивированных в растворах сульфидов
428
Курышев Г.Л., Мясников А.М., Ободников В.И., Сафронов Л.Н., Хрящев Г.С.
Перераспределение бериллия в InSb и InAs при внедрении ионов и последующем отжиге
439
Аникин М.М., Кузнецов Н.И., Лебедев А.А., Полетаев Н.К., Стрельчук А.М., Сыркин А.Л., Челноков В.Е.
О зависимости положения максимума электролюминесценции в диодах на основе 6H-SiC от плотности прямого тока
443
Голубев В.Г., Морозова Л.Е., Певцов А.Б., Феоктистов Н.А., Флоринский В.Ю.
Особенности собирания неравновесных носителей заряда, генерированных электронным потоком в структурах на основе a-Si : H и a-Si : C : H
449
Аникин М.М., Кузнецов Н.И., Лебедев А.А., Савкина Н.С., Сыркин А.Л., Челноков В.Е.
Токовая спектроскопия глубоких центров в p-n-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC
456
Стафеев В.И., Анисимова И.Д.
Фотодиоды с барьером Шоттки на основе GaP, GaP
x
As
1-x
и GaAs для УФ и видимого диапазонов спектра
461
Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Сустретов А.А.
Амфотерное поведение меди в фосфиде индия
467
Аникин М.М., Лебедев А.А., Полетаев Н.К., Стрельчук А.М., Сыркин А.Л., Челноков В.Е.
Глубокие центры и сине-зеленая электролюминесценция в 4H-SiC
472
Коршунов Ф.П., Ластовский С.Б., Марченко И.Г.
Характеристики электронно-облученных p-n-переходов в области лавинного пробоя
478
Журавлев К.С., Степина Н.П., Шамирзаев Т.С., Бучин Э.Ю., Мокроусов Н.Е.
Кинетика затухания и возрастания фотолюминесценции пористого кремния под действием непрерывного лазерного излучения
482
Астрова Е.В,, Белов С.В., Лебедев А.А., Логинов Б.Б., Ременюк А.Д., Рудь Ю.В.
Фотолюминесценция кремневодородных пленок
488
Астрова Е.В., Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Рудь Ю.В.
Оптические и электрические свойства пористого кремния
493
Комаров Б.А., Коршунов Ф.П., Мурин Л.И.
Роль полевых эффектов при определении концентрации термодоноров в кремнии методом DLTS
498
Слынько В.В., Бабий П.И., Гамерник Р.В., Гнатенко Ю.П.
Состояние примеси никеля в теллуриде кадмия
506
Качурин Г.А., Ободников В.И., Принц В.Я., Тысченко И.Е.
Нейтрализация бора в кремнии высокотемпературным облучением ионами аргона
510
Голубок А.О., Гурьянов Г.М., Леденцов Н.Н., Петров В.Н., Самсоненко Ю.Б., Типисев С.Я., Цырлин Г.Э.
Формирование массивов фасеток на вицинальных поверхностях GaAs (100) при молекурярно-пучковой эпитаксии
515
Баширов Р.И., Елизаров В.А., Матвеева Н.Ю.
Прыжковая проводимость в полумагнитном твердом растворе Hg
1-x
Mn
x
Te
519
Гулямов Г., Гуревич Ю.Г., Закиров Н.
Тепловые размерные эффекты в проводящих каналах конечной длины
522
Абакарова Н.С., Алиев К.М., Ибрагимов Х.-М. О.
Винтовая неустойчивость тока p-Ge<Au> при высоких уровнях оптического возбуждения
529
Абрамян Ю.А., Гавриленко В.И., Красильник 3.Ф., Козлов И.Н., Сераго В.И., Стафеев В.И.
Фотопроводимость Pb
1-x
Sn
x
Te<In> в миллиметровой области спектра
533
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук