"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структурные особенности АФН пленок GaAs
Абдуллаев Н.1
1Ташкентский государственный технический университет им. Беруни,, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 28 мая 1992 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

Показано, что в пленках GaAs с ростом толщины происходит процесс перехода их структуры от аморфной в поликристаллическую. Установлено, что хорошо выраженная поликристаллическая структура пленок GaAs является необходимым условием для генерации аномально высокого фотонапряжения в них.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.