Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2026
1
2
2025
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2026, выпуск 2
<<<
Физика и техника полупроводников, 2026, том 60, выпуск 2
ХХХ Симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 9-13 марта 2026 г.
Яблонский А.Н., Захаров В.Е., Юрасов Д.В., Шалеев М.В., Шенгуров Д.В., Родякина Е.Е., Смагина Ж.В., Новиков А.В.
Излучательные свойства структур с двумерными фотонными кристаллами с непроцессированной центральной областью
65
Власов А.С., Карлина Л.Б., Левин Р.В., Лысак В.В., Учаев М.В., Сошников И.П.
Одно- и двухстадийный рост GaInP-наноструктур на подложках кремния из паровой фазы
73
Окулич Е.В., Окулич В.И., Тетельбаум Д.И.
Первопринципный расчет атомных конфигураций в β-Ga
2
O
3
в окрестности атома бора при облучении ионами B
+
79
Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Зиновьева А.Ф., Володин В.А., Александров И.А., Гутаковский А.К., Вдовин В.И., Мудрый А.В., Живулько В.Д., Захаров В.Е., Федина Л.И.
Структура и оптические свойства протяженных дефектов, введенных в кремний имплантацией ионов Ge
+
с последующим отжигом
86
Дураков Д.Е., Петров А.С., Рогило Д.И., Щеглов Д.В., Латышев А.В.
Контроль формирования ступенчато-террасированной поверхности на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ отражательной электронной микроскопии
92
Иванов В.В., Казаринова Д.Д., Лизунова А.А., Волков И.А., Власов И.С., Колисова Е.В., Цаплин И.А., Корнюшин Д.В., Ворошилова В.А., Лошкарев А.А.
Формирование методами печати тонкопленочных транзисторов с полупроводниковым каналом на основе оксида индия-галлия-цинка
98
Горшков А.П., Шварцман В.Д., Волкова Н.С., Цветков А.А., Планкина С.М., Демина П.Б., Панфилов А.С.
Резонансная фотолюминесценция квантовых точек InAs/GaAs
106
Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)
Семенов А.Н., Нечаев Д.В., Трошков С.И., Алексеев П.А., Шмидт Н.М., Калиновский В.С., Жмерик В.Н.
Плазменно-активированная молекулярно-пучковая эпитаксия Al-обогащенных слоев AlGaN:Si и монослойных сверхрешеток (цифровых твердых растворов) (GaN/AlN):Si
111
Углеродные системы
Слипченко С.О., Орешко И.В., Подоскин А.А., Шушканов И.В., Пихтин Н.А.
Исследование динамики включения сильноточных высоковольтных токовых ключей на основе GaAs/AlGaAs-гетеротиристоров
121
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2026
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук