Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2026
- 1 2
2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Контроль формирования ступенчато-террасированной поверхности на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ отражательной электронной микроскопии

Министерство образования и науки Российской Федерации, Государственное задание, FWGW-2025-0014

Дураков Д.Е.^1,2, Петров А.С. ^1,2, Рогило Д.И.^1,2, Щеглов Д.В.^1,2, Латышев А.В.^1,2

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Email: durakov@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 31 марта 2026 г.

В окончательной редакции: 27 мая 2026 г.

Принята к печати: 29 мая 2026 г.

Выставление онлайн: 30 июня 2026 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии в сочетании с ex situ атомно-силовой микроскопией исследованы процессы формирования ступенчато-террасированной морфологии на вицинальной поверхности 6H-SiC(0001) при высокотемпературном отжиге. Установлено, что в условиях сверхвысокого вакуума отжига при температурах 1160-1200 ^oC активируются процессы эшелонирования ступеней с формированием макроступеней из трех бислоев SiC высотой 0.75 нм без изменения стехиометрического состава. Отжиг при 1250 ^oC в течение 10 мин привел к эшелонированию ступеней с формированием наиболее гладких террас с буферным углеродным слоем на поверхности, полученным вследствие сублимации кремния. Ключевые слова: графен, SiC, АСМ, ОЭМ.

A.B. Renz, F. Li, O.J. Vavasour, P.M. Gammon, T. Dai, G.W.C. Baker, F.La. Wia, M. Zielinski, L. Zhang, N.E. Grant, J.D. Murphy, P.A. Mawby, M. Jennings, V.A. Shah. Semicond. Sci. Technol., 36(5), 55006 (2021). DOI: 10.1088/1361-6641/abefa1
M. Syvajarvi, R. Yakimova, E. Janzen. J. Cryst. Growth, 236 (1--3), 297 (2002). DOI: 10.1016/S0022-0248(01)02331-4
G. Yazdi, T. Iakimov, R. Yakimova. Crystals, 6 (5), 53 (2016). DOI: 10.3390/cryst6050053
М.С. Дунаевский, И.В. Макаренко, В.Н. Петров, А.А. Лебедев, С.П. Лебедев, А.Н. Титков. Письма ЖТФ, 35 (1), 98 (2009). DOI: 10.1134/S1063785009010143
Д.Е. Дураков, А.С. Петров, Д.И. Рогило, Д.А. Насимов, Д.Ф. Никифоров, Н.Н. Курусь, А.Г. Милёхин, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев. ФТП, 59 (2), 102 (2025). DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2025.02.60984.8241
M. Hupalo, E.H. Conrad, M.C. Tringides. Phys. Rev. B, 80, 041401 (2009). DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.80.041401
Д.И. Рогило, С.В. Ситников, Е.Е. Родякина, А.С. Петров, С.А. Пономарев, Д.В. Щеглов, Л.И. Федина, А.В. Латышев. Кристаллография, 66 (4), 528 (2021). DOI: 10.31857/S0023476121040196
A.S. Petrov, D.I. Rogilo, R.A. Zhachuk, A.I. Vergules, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev. Appl. Surf. Sci., 609, 155367 (2023). DOI: 10.1016/j.apsusc.2022.155367
A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev. Appl. Surf. Sci., 60-61, 397 (1992). DOI: 10.1016/j.apsusc.2022.155367
U. Starke, J. Bernhardt, M. Franke, J. Schardt, K. Heinz. Diamond. Relat. Mater., 6 (10), 1349 (1997). DOI: 10.1016/S0925-9635(97)00090-3
K. Hayashi, K. Morita, S. Mizuno, H. Tochihara, S. Tanaka. Surf. Sci., 603 (3), 566 (2009). DOI: 10.1016/j.susc.2008.12.025
V. Borovikov, A. Zangwill. Phys. Rev. B, 79, 245413 (2009). DOI: 10.1103/PhysRevB.79.245413
И.С. Котоусова, С.П. Лебедев, В.В. Антипов, А.А. Лебедев. ФТТ, 64 (12), 2055 (2022). DOI: 10.1103/PhysRevLett.107.166101
F. Fromm, M.H. Oliveira, jr., A. Molina-Sanchez, M. Hundhausen, J.M. J. Lopes, H. Riechert, L. Wirtz, T. Seyller. New J. Phys., 15 (4), 43031 (2013). DOI: 10.1088/1367-2630/15/4/043031
J.B. Hannon, M. Copel, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 107 (16), 166101 (2011). DOI: 10.1103/PhysRevLett.107.166101

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель