Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1993, выпуск 2
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1993, том 27, выпуск 2
Мурин Л.И., Маркевич В.П.
О механизме подавления генерации термодоноров в кремнии примесными атомами углерода
193
Гаврикова Т.А., Зыков В.А., Немов С.А.
Особенности явления самокомпенсации в пленках PbSe <Tl,Pb
ex
>
200
Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Иванов А.М., Строкан Н.Б.
Особенности генерационного тока в облученных alpha-частицами p
+
-n-переходах из высокоомного кремния
205
Бутусов Д.М., Кудряшов Н.А., Кучеренко С.С., РЫВКИН Б.С.
Механизм оптической нелинейности в волноводных P-I-N-структурах при электропоглощении света
214
Антоненко В.И., Знаменский Д.А., Калугин С.М., Леванович В.Н., Моисеев Ю.Н., Панов В.И., Тодуа П.А., Уласюк В.Н., Юсупов Р.Г.
Электронные свойства границ раздела полупроводник-диэлектрик в тонкопленочном транзисторе на основе структуры SiO
2
-alpha-Si<H>-пленка Ленгмюра-Блоджетт
221
Артамонов В.В., Байдуллаева А., Беляев С.В., Власенко А.И., Гнатюк В.А., Мозоль П.Е.
Влияние лазерного облучения на физические свойства высокоомных кристаллов ZnSe
228
Антонова И.В., Шаймеев С.С., Тысченко И.Е.
Исследование методом DLTS дефектов, образующихся в кремнии при высокотемпературном облучении ионами N
+
234
Галкин И.М., Нефедов А.А., Чапланов В.А., Шипов И.А., Якимов С.С.
Рентгенодифракционное исследование границы раздела между кристаллами Hg
1-x
Cd
x
Te и анодными пленками
239
Магомедов М.А., Рудь Ю.В.
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-CdS<In>-p-CuInSe
2
245
Муминов Р.А., Малаева В.Т., Оксман М.М., Ишмуратов Г.В., Юнусова X.
Влияние структурной неоднородности полупроводника и диэлектрика на зарядовые свойства поверхности МДП структур
250
Саидов А.С., Лейдерман А.Ю., Сапаев Б., Каражанов С.Ж.
Электрофизические свойств твердых растворов Si
1-x
Ge
x
, полученных методом жидкофазной эпитаксии
256
Брудный В.Н., Колин Н.Г., Потапов А.И.
Глубокие ловушки в n-GaAs, облученном быстрыми нейтронами
260
Дидик В.А., Козловский В.В., Малкович Р.Ш., Скорятина Е.А.
Профили изотопов, образованных в полупроводниковых соединениях A
III
B
V
при облучении высокоэнергетичными alpha-частицами
265
Гольдман Е.И.
Генерация неосновных носителей заряда в электрических полях макроскопических неоднородностей на границе раздела полупроводник-диэлектрик
269
Асланов Г.А., Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Пенин Н.А.
Нелинейность фотопроводимости германия с примесями ртути, кобальта и цинка при возбуждении излучением с lambda=10.6 мкм
277
Ипатова И.П., Малышкин В.Г., Маслов А.Ю., Щукин В.А.
Образование периодических структур с модулированным составом при когерентном разделении фаз в четверных твердых растворах полупроводников A
III
B
V
285
Немов С.А., Равич Ю.И., Березин А.В., Гасумянц В.Э., Житинская М.К., Прошин В.И.
Явления переноса в Pb
0.78
Sn
0.22
Te с большим содержанием примеси In
299
Ашмонтас С., Скучене А.
Асимметрия перколяционной электропроводности компенсированного n-InP
307
Акимов А.В., Криволапчук В.В., Полетаев Н.К., Шофман В.Г.
Люминесцентное исследование долговременной кинетики носителей в эпитаксиальном арсениде галлия
310
Маргулис А.Д., Маргулис Вл.А.
Магнитоэлектрический эффект в бесщелевых полупроводниках I рода
323
Алешкин В.Я., Романов Ю.А.
Поглощение инфракрасного излучения дырками в структурах с квантовыми ямами
329
Сулеман X., Лигачев В.А., Филиков В.А.
Морфология, плотность состояний и поляризация в неоднородных слоях alpha-Si:H
338
Дидик В.А., Козловский В.В., Малкович P.Ш., Скорятина Е.А.
Профили изотопов, созданных в арсениде галлия под действием alpha-частиц с энергией 12, 16 и 20 МэВ
343
Козловский В.В., Захаренков Л.Ф.
Компенсация проводимости n-GaAs<Yb> радиационными дефектами
345
Андрухив А.М., Гадаев О.А., Иванов-Омский В.И., Цидильковский Э.И.
Хвосты плотности состояний в твердых растворах Zn
x
Cd
y
Hg
1-x-y
Te
348
Акимов Б.А., Албул А.В., Иванчик И.И., Рябова Л.И., Слынько Е.И., Хохлов Д.Р.
Влияние легирования галлием на свойства твердых растворов Pb
1-x
Ge
x
Te
351
Федорин В.А.
Суперионные свойства полупроводника Cu
2-x
Se как проявления экситонной фазы с переносом заряда
354
Кудряшов Н.А., Кучеренко С.С., Фетисов Н.В.
Расчет динамики фотоотклика диодов с резким переходом при высоких уровнях фотовозбуждения
358
Дидейкин А.Т., Немчук Н.И.
Обратные темновые токи в структурах полупроводник-диэлектрик-полупроводник с тонким диэлектриком
362
ПОТЕРИ НАУКИ Памяти Юрия Васильевича Шмарцева (1930-1993)
366
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук