"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Люминесцентное исследование долговременной кинетики носителей в эпитаксиальном арсениде галлия
Акимов А.В.1, Криволапчук В.В.1, Полетаев Н.К.1, Шофман В.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 января 1993 г.

Настоящая работа посвящена исследованию влияния метастабильных состояний в нелегированных эпитаксиальных слоях GaAs на низкотемпературные (T< 10 K) спектры экситонной люминесценции. В экспериментах исследуются спектры и кинетики затухания линий экситонной и примесной люминесценции GaAs во время спонтанного или индуцированного светом высвобождения носителей из метастабильных состояний. В отличие от ранних экспериментов, где исследовалась только примесная или интегральная по спектру краевая люминесценция GaAs, в настоящей работе анализируются спектры экситонной люминесценции. Результаты позволили сделать предположение о свободных электронах в зоне проводимости, как о свойстве метастабильного состояния при T< 10 K.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.