Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2025
1
2
3
4
5
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2025, выпуск 5
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 5
Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург
Лапушкин М.Н.
Адсорбция калия на поверхности Al
0.5
Ga
0.5
N(0001)
251
Казаков С.А., Дугин А.А., Гагиев Т.С., Гревцев М.А., Соколов А.В., Арефьева О.А., Шишкин А.Ю., Хворов В.Н.
Алгоритм селективного определения компонентов газовых смесей C
3
H
8
-H
2
и H
2
-CH
4
при исследовании температурной зависимости электропроводности полупроводникового сенсора на основе SnO
2
255
Клычков Н.А., Симаков В.В., Синев И.В.
Использование освещения для идентификации газовых сред полупроводниковыми сенсорами на основе оксида цинка
259
Карлина Л.Б., Власов А.С., Левин Р.В., Сошников И.П.
Самокаталитический рост GaInP-наноструктур на подложках кремния из паровой фазы: выбор состава источника и каталитических капель
265
Шершунова Е.А., Мошкунов С.И., Хомич В.Ю., Иголкин А.А.
Мощный импульсный повышающий преобразователь на нитрид-галлиевых транзисторах
270
Богданов А.А., Люблинский А.Г., Михайлов Е.М., Тубольцев Ю.В.
Установка для испытания чипов полевых транзисторов на устойчивость к лавинному пробою при работе на индуктивную нагрузку
274
Малевская А.Д., Минтаиров М.А., Евстропов В.В., Малевский Д.А., Салий Р.А., Калюжный Н.А.
Влияние резистивных параметров фотоэлектрических преобразователей на карты электролюминесценции и вольт-амперные характеристики
281
Поздеев В.А., Вячеславова Е.А., Михайлов О.П., Максимова А.А., Гудовских А.С., Уваров А.В.
Исследование влияния параметров центрифугирования и состава суспензии PEDOT:PSS на характеристики солнечных элементов b-Si/PEDOT:PSS
286
Шварц М.З., Емельянов В.М., Корниенко П.Д., Ларионов В.Р., Левина С.А., Минтаиров С.А., Нахимович М.В., Салий Р.А., Калюжный Н.А.
Метаморфные InGaAs/GaAs-гетероструктуры для радиационно стойких фотопреобразователей лазерного излучения
291
Мясоедов А.В., Мынбаева М.Г., Приображенский С.Ю., Амельчук Д.Г., Лебедев С.П., Лебедев А.А.
Применение композитных подложек 6H-SiC/3C-SiC(001) для выращивания кубического политипа карбида кремния методом сублимации
294
Маслова Н.А., Данилов Д.В., Вывенко О.Ф., Скуратов В.А., Володин В.А., Калядин А.Е., Соболев Н.А.
Комплексы собственных точечных дефектов в кремнии, сформированные в результате ионной имплантации ксенона высоких энергий и постимплантационных отжигов
298
Середин Б.М., Попов В.П., Малибашев А.В., Степченко А.Д., Заиченко А.Н.
Использование углерода для формирования дискретных зон на основе алюминия при их термомиграции в кремнии
302
Вывенко О.Ф., Гогина О.А., Петров Ю.В., Убыйвовк Е.В., Аргунова Т.С., Нагалюк С.С.
Дислокационная структура индентированных объемных кристаллов AlN
306
Бекман А.А., Мельниченко И.А., Шерняков Ю.М., Корнышов Г.О., Гордеев Н.Ю., Паюсов А.С., Симчук О.И., Ткач Ю.С., Максимов М.В.
Спектральные и пространственные характеристики излучения торцевых лазерных диодов на основе квантовых ям InGaAs/GaAs со сверхшироким волноводом
310
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2025
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук