Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1992, выпуск 9
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 9
Гродненский И.М., Дикаев Ю.М., Руденко А.С., Старостин К.В., Яссен М.Л., Медведев Б.К., Мокеров В.Г., Слепнев Ю.В.
Множественная полосковая структура с квазиодномерным электронным энергетическим спектром
1521
Чистохин И.Б., Тишковский Е.Г., Герасименко Н.Н.
Неустойчивости тока в фотосопротивлении на основе кремния, легированного селеном
1529
Бахадырханов М.К., Зикриллаев Н.Ф., Арзикулов Э.У.
Низкочастотные колебания тока в компенсированном цинком кремнии
1536
Лигачев В.А., Филиков В.А.
О природе эффекта псевдолегирования в a-Si : H
1540
Сорока В.И., Арцимович М.В., Могильник И.Ф.
Угол связи Si-O-Si в монокристалле кремния
1547
Зебрев Г.И.
Статическое экранирование в инверсионном слое
1550
Петренко Т.Л., Тесленко В.В., Мохов Е.Н.
ДЭЯР и электронная структура примесных центров бора в 6H-SiC
1556
Буданцев М.В., Квон 3.Д., Погосов А.Г.
Отрицательное продольное магнитосопротивление delta-легированных слоев GaAs
1565
Бумялене С., Яссиевич И.Н.
Захват электронов на отталкивающие кулоновские центры в германии
1569
Кальфа А.А., Пашковский А.Б., Тагер А.С.
Полевая и ударная ионизация глубоких энергетических уровней в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
1574
Владимиров В.В., Горшков В.Н., Малютенко В.К.
Хаотические автоколебания в варизонных полупроводниковых структурах
1580
Айвазов А.А., Будагян Б.Г., Мейтин М.Н., Становов О.Н.
Влияние структурной неоднородности на проводимость и релаксационные процессы в a-Si :H и a-Si
1-x
N
x
: H
1585
Мередов M.M., Ковалевская Г.Г., Руссу Е.В., Слободчиков С.В.
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур, полученных структурным переходом Au-p-InP->Au-n-In
2
O
3
-p-InP
1590
Канцер В.Г., Леляков И.А., Малкова Н.М.
Эффект инверсии зон приграничных электронных состояний в сверхрешетках на базе полупроводников A
IV
B
VI
1596
Голикова О.А.
Икосаэдрические бориды и аморфный бор
1604
Баранов А.Н., Воронина Т.И., Гореленок А.А., Лагунова Т.С., Литвак А.М., Сиповская М.А., Старосельцева С.П., Тихомирова В.А., Шерстнев В.В.
Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсенида индия
1612
Комаров Б.А.
Влияние условий эксперимента на результаты обработки DLTS-спектров методом анализа формы линии
1625
Клецкий С.В.
Спектральные характеристики варизонных структур с нелинейным профилем состава
1631
Урманов Н.А.
Релаксация емкости в n-pi-p-переходе с произвольным уровнем легирования n- и p-областей
1635
Абуталыбов Г.И., Джафарова С.3., Рагимова Н.А., Мехтиев Э.И.
Экситонные, внутрицентровые и структурно-дефектные переходы в квазидвумерных кристаллах TlGaS
2
: Nd
2
S
3
1643
Зыков Н.В.
Флуктуационные пограничные состояния в гетеропереходе
1645
Герасименко Н.Н., Мясников А.М., Ободников В.И., Сафронов Л.Н.
Перераспределение магния в InAs при постимплантационном отжиге
1651
Рыков В.В., Харионовский А.В., Вывенко О.Ф.
Отрицательный фотоакустический эффект в стеклообразном селениде мышьяка
1653
Демидов Е.С., Карзанов В.В.
О втором донорном уровне междоузельного хрома в кремнии
1656
Оконечников А.П., Мельник Н.Н.
Влияние отжига на спектр глубоких центров захвата в ZnSe
1659
Смирнов А.Ю.
Особенности дрейфа носителей тока, рассеивающихся на двумерных оптических фононах в сильнонеравновесном стационарном состоянии
1662
Казанцев А.Б., Ларионов В.Р., Румянцев В.Д., Танклевская Е.М., Хвостиков В.П.
Полосковые зарощенные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии в одностадийном процессе
1666
Урманов Н.А.
Анализ температурной зависимости импеданса диода с неоднородной базой из перекомпенсированного полупроводника
1669
Урманов Н.А.
Немонотонная изотермическая релаксация тока в n-pi-p-структуре, связанная с инверсией электрического поля
1671
Козуб В.И.
Новые книги по полупроводникам
1675
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук