"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Неустойчивости тока в фотосопротивлении на основе кремния, легированного селеном
Чистохин И.Б.1, Тишковский Е.Г.1, Герасименко Н.Н.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Выставление онлайн: 20 августа 1992 г.

В фотосопротивлении на основе кремния, легированного селеном, при температуре жидкого азота в присутствии примесной подсветки в сравнительно узком диапазоне напряжений 22.7-24.7 В были обнаружены самогенерирующиеся и затем самоподдерживающиеся периодические колебания (интервал частот 4-100 Гц) тока в нагрузке при статических внешних условиях. Амплитуда колебаний достигала 0.3 стационарного значения тока. Зависимости частоты наблюдаемых колебаний от уровня подсветки при различных приложенных напряжениях хорошо согласуются с представлением о режиме волн пространственной перезарядки глубоких уровней. Наблюдался также эффект "фазовой памяти", при котором осцилляции, прекращающиеся при выключении подсветки, при повторном включении возобновляются с той же фазы, что была в момент выключения. С ростом напряжения или интенсивности подсветки колебания последовательно переходили через стадии удвоения периода в хаотические осцилляции. Нелинейности вольт-амперной характеристики обусловлены разогревом носителей, а возникновение наблюдаемой неустойчивости связывается с ударной ионизацией возбужденного состояния уровня Ec-0.29 эВ, поддерживающей в статическом режиме волны пространственной перезарядки. Результаты рассмотрены с точки зрения устойчивости нелинейных систем к малым возмущениям динамических переменных.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.