Приведены результаты исследования осцилляции фототока в компенсированном цинком кремнии. Установлено, что регулярные и стабильные колебания тока наблюдаются в образцах n-Si<Zn> с 20=<q p=<q10⁵ и в p-Si<Zn> c 5·10⁴ Ом · см при T=77-20 K. Максимальное значение амплитуды доходит до I=400 мА, а частота меняется в интервале f=10^-3/10 Гц. Показано, что колебания тока в образцах Si<Zn> связаны с температурно-электрической неустойчивостью тока (ТЭН), которая хорошо исследована в полупроводниковых соединениях A^IIB^VI и A^IIIB^V. Механизм исследуемых колебаний объясняется существующей моделью ТЭН с учетом особенности поведения атомов цинка в кремнии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.