Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1991, выпуск 7
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 7
Бузанева Е.В., Ветров А.П., Кузнецов Ю.М., Левандовский В.Г., Панасюк В.М., Попова Г.Д.
Физическое моделирование и экспериментальное исследование особенностей токопереноса в структурах металл-p
+
-n-полупроводник с глубокими уровнями
1121
Аронов Д.А., Маматкулов Б.Р.
Расширение диапазона температур примесной проводимости "чистого" германия с помощью эффекта эксклюзии
1129
Акимов А.В., Шофман В.Г.
Рекомбинация горячих электронов с дырками на центрах прилипания в эпитаксиальном n-GaAs
1133
Сырбу Н.Н., Львин В.Э.
Инфракрасные колебательные моды и характер химической связи в кристаллах ZnP
2
и CdP
2
1136
Сырбу Н.Н., Снигур А.П., Чумак В.А., Хачатурова С.Б.
Плазмон-фононные моды и непараболичность зоны проводимости в эпитаксиальных слоя InGaAs/InP
1146
Адилов К.А.
Фотохимическая перестройка глубоких центров в кремнии: распад донорно-акцепторных пар
1157
Беляев А.Е., Бекетов Г.В., Городничий О.П., Комиренко С.М., Муха Л.А.
Влияние пассивирующих покрытий на электрофизические свойства кристаллов (Cd, Hg) Te
1164
Козловский В.В., Кольченко Т.И., Ломако В.М.
Эффективность введения электронных ловушек в арсениде галлия при высокотемпературном облучении электронами
1169
Константинов А.О.
Инжекция неравновесных точечных дефектов при диффузии примесей в кристаллах со смешанным механизмом самодиффузии
1175
Баранский П.И., Беляев А.Е., Горбатюк И.Н., Комиренко С.М., Раренко И.М., Шевченко Н.В.
Рекомбинация в Hg
1-x-y
Cd
x
Mn
y
Te (x=~ 0.28-0.35, y=~ 0.01-0.02)
1183
Кудряшов Н.А., Кучеренко С.С.
Характеристики полупроводникового диода с резким переходом при высоких уровнях ионизирующих излучений
1188
Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И., Белов А.Г., Рашевская Е.П.
Плазменный резонанс свободных носителей заряда и оценка некоторых параметров зонной структуры материала Cd
x
Hg
1-x
Te
1196
Белявский В.И., Капустин Ю.А., Свиридов В.В.
Подпороговое дефектообразование при мощной импульсной фотонной обработке кремния
1204
Ващенко В.А., Водаков Ю.А., Гафийчук В.В., Дацко Б.И., Кернер Б.С., Литвин Д.П., Осипов В.В., Роенков А.Д., Санкин В.И.
Образование и эволюция нитей лавинного тока в обратносмещенных p-n-переходах на основе 6H-SiC
1209
Георгицэ Е.И., Гуцуляк Л.М., Иванов-Омский В.И., Погорлецкий В.М., Смирнов В.А.
Экситон-фотонная фотолюминесценция в широкозонных сплавах Hg
1-x
Cd
x
Te
1217
Райчев О.Э.
Особенности проводимости Gamma X-сверхрешеток
1228
Караваев Г.Ф., Тиходеев Ю.С.
Уравнения для огибающих в варизонной структуре
1237
Бабенцов Б.Н., Горбань С.И., Городецкий И.Я., Корсунская Н.Е., Раренко И.М., Шейнкман М.К.
Влияние ультразвуковой обработки на экситонную и примесную люминесценцию CdTe
1243
Бойков Ю.А., Данилов В.А., Кусаинов О.М., Кутасов В.А.
Зависимость анизотропии термоэдс пленок PbTe от проводимости приповерхностного слоя
1246
Гончарова А.Г., Зуев В.В.
Влияние U
-
-центров на термостимулированный ток в полупроводнике
1249
Зимогорова Н.С., Карлина Л.Б., Никитин Л.П.
Особенности фотолюминесценции легированного марганцем твердого раствора In
0.53
Ga
0.57
As в условиях изменения состояния гетерограницы InP-InGaAs
1253
Крусток Ю.Й., Пийбе Т.Э., Лыо А.Э.
Особенности температурного поведения полосы 0.81 эВ фотолюминесценции теллурида кадмия
1257
Алещенко Ю.А., Водопьянов Л.К.
Возникновение упругих напряжений за границей аморфизированной области, созданной в GaAs ионной имплантацией
1259
Заварицкая Э.И., Ипатова И.А., Мирлин Д.Н., Мурзин В.Н., Пермогоров С.А., Пикус Г.Е., Сурис Р.А., Тимофеев В.Б., Тиходеев С.Г., Шейнкман М.К., Акимченко И.П., Вавилов В.С.
О XX Международной конференции по физике полупроводников
1263
Козуб В.И.
Новые книги по полупроводникам
1274
Памяти Павла Михайловича Карагеоргия-Алкалаева (1934--1990)
1277
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук