Приведены результаты исследования фотолюминесцентных свойств широкозонных твердых растворов Hg_1-xCd_xTe (0.5 =< x =< 0.72) в интервале температур 2-90 K и магнитных полей до 6 Т. Концентрация носителей в исследованных растворах, измеренная при 77 K, изменялась в пределах (9 · 10¹⁴ / 3· 10¹⁶) см^-3. Образцы получены модифицированным методом Бриджмена и имели p-тип проводимости. Наблюдаемая сложная структура спектров фотолюминесценции растворов Hg_1-xCd_xTe (0.5 =< x=< 0.72) при 2 K в отсутствие магнитного поля идентифицирована как связанный на глубоком акцепторе (varepsilon_a ~ 70 мэВ) экситон и его фононные реплики. Из спектра фононных повторений для энергии продольного оптического фонона подрешетки теллурида кадмия получено значение (21 ± 0.2) мэВ. Особенности тонкой структуры бесфононной линии в отсутствие магнитного поля представлены как связанные на акцепторе состояния экситонфононного комплекса, в которой идентифицированы переходы (2p_-1 -> 1S), (2p₀-> 1S), (2S-> 1S), (2p₊₁-> 1S) и (3p_-1-> 1S). Показано, что увеличение полуширины бесфононной линии с ростом температуры и магнитного поля подтверждает предположение, что основной вклад в уширение линии фотолюминесценции дают флуктуации состава твердого раствора, межпримесное и электрон-фононное взаимодействия. Определены основные параметры каждого механизма уширения, а также концентрация носителей и степень компенсации. Полученные значения согласуются с результатами электрических измерений. Показано, что в магнитном поле при 4.2 K интенсивность интегральной фотолюминесценции экситонной линии уменьшается в области слабых полей до 3 T и растет в сильном поле. Предложен механизм, с помощью которого объясняются наблюдаемые особенности.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.