Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2024, выпуск 12
<<<
Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 12
Электронные свойства полупроводников
Давидович М.В.
Аналитическое решение одномерного уравнения Шредингера с линейным потенциалом в диоде
651
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Фефелов С.А., Казакова Л.П., Богословский Н.А., Былев А.Б.
Механизмы токопрохождения в структуре TiN/Ge
2
Sb
2
Te
5
/Au
662
Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Абросимова Н.Д., Бибикова В.В., Волкова Е.В., Недошивина А.Д., Потехин А.А., Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Логинов Б.А., Блинников Д.Ю., Второва В.С., Кириллова В.В., Ляшко Е.А., Макеев В.С., Первых А.Р., Оболенский С.В.
Флуктуационный анализ микрорельефа поверхности структур кремний-на-изоляторе после радиационного воздействия
*
668
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Иешкин А.Е., Татаринцев А.А., Сенатулин Б.Р., Скрылева Е.А.
Эволюция состава и рельефа поверхности полупроводников A
III
B
V
в процессе распыления ионами аргона
676
Углеродные системы
Глухова О.Е., Слепченков М.М., Петрунин А.А.
Электронная и дырочная подвижность в углеродных гибридных структурах
683
Физика полупроводниковых приборов
Калинушкин В.П., Уваров О.В., Гладилин А.А., Миронов С.А., Поплавский М.В., Пупырев П.Д., Гаврищук Е.М., Савин Д.В., Тимофеева Н.А.
Влияние процедуры легирования железом CVD-ZnSe с помощью высокотемпературной диффузии на состав и пространственное распределение примесно-дефектных центров
695
Подоскин А.А., Шушканов И.В., Ризаев А.Е., Николаев Д.Н., Слипченко С.О., Пихтин Н.А.
Импульсный фотоактивируемый ключ на основе полупроводникового лазера и высоковольтного фотодиода AlGaAs/GaAs
703
Самарцев И.В., Байдусь Н.В., Зубков С.Ю., Балясников Д.М., Жидяев К.С., Здоровейщев А.В., Бобров А.И., Сидоренко К.В., Нежданов А.В., Клементьев Д.С.
Метаморфный InGaAs-фотодиод на длине волны 1.55 мкм, выращенный на подложке GaAs
709
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2025
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук