Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2024, выпуск 12 » Статья стр. 668
<<<>>>
Флуктуационный анализ микрорельефа поверхности структур кремний-на-изоляторе после радиационного воздействия *
Министерство образования и науки Российской Федерации, Динамика коллективных возбуждений в веществе при воздействии сильных терагерцовых полей, FSWR-2024-0003
Пузанов А.С. 1,2, Забавичев И.Ю. 1,2, Абросимова Н.Д. 1, Бибикова В.В. 1,2, Волкова Е.В. 2, Недошивина А.Д. 2, Потехин А.А. 1,2, Тарасова Е.А. 2, Хазанова С.В.2, Логинов Б.А. 3, Блинников Д.Ю.4, Второва В.С.4, Кириллова В.В.4, Ляшко Е.А.4, Макеев В.С.4, Первых А.Р.1, Оболенский С.В. 2,1
1Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
2Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
4Образовательный центр "Сириус", Сочи, Россия
Email: puzanov@rf.unn.ru, zabavichev.rf@gmail.com, andnenastik@inbox.ru, veronbib@mail.ru, khazanova@phys.unn.ru, obolensk@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 20 января 2025 г.
В окончательной редакции: 21 января 2025 г.
Принята к печати: 21 января 2025 г.
Выставление онлайн: 13 февраля 2025 г.
PDF версия
При помощи метода двумерного флуктуационного анализа проведена обработка изображений поверхности структур кремний-на-изоляторе. Установлено, что параметр Херста необлученной поверхности составляет H0=0.93, облученной γ-квантами Hγ=0.71-0.87, облученной нейтронами Hn=0.91-0.94, что указывает на нестепенные корреляции функции высоты и процессы типа случайного блуждания для всех исследованных образцов. Рассмотрено влияние радиации на изменение среднеквадратичного отклонения и корреляционной длины микрошероховатости поверхности образцов на микроуровне и деградации подвижности носителей заряда на макроуровне. Ключевые слова: кремний-на-изоляторе, микрошероховатость, подвижность носителей заряда, флуктуационный анализ, фрактальная размерность.
  1. J.R. Schriepper. Phys. Rev., 97 (3), 641 (1955)
  2. R.F. Greene, D.R. Frankl, J. Zemel. Phys. Rev., 118 (4), 967 (1960)
  3. F. Stern, W.E. Howard. Phys. Rev., 163 (3), 816 (1967)
  4. R.E. Prange, T.-W. Nee. Phys. Rev., 168 (3), 779 (1968)
  5. T. Ando. J. Phys. Soc. Japan, 43 (5), 1616 (1977)
  6. R.F. Pierret, C.T. Sah. Solid-State Electron., 11, 279 (1968)
  7. C.T. Sah, T.H. Ning, L.L. Tschopp. Surf. Sci., 32, 561 (1972)
  8. Y.C. Cheng, E.A. Sullivan. Surf. Sci., 34, 717 (1973)
  9. Y.C. Cheng, E.A. Sullivan. J. Appl. Phys., 44 (8), 3619 (1973)
  10. Y.C. Cheng, E.A. Sullivan. J. Appl. Phys., 45 (1), 187 (1974)
  11. Y. Matsumoto, Y. Uemura. Jpn. J. Appl. Phys., 2, 367 (1974)
  12. J.R. Brews. J. Appl. Phys., 46 (5), 2193 (1975)
  13. A. Hartstein, T.H. Ning, A.B. Fowler. Surf. Sci., 58, 178 (1976)
  14. F. Stern. Phys. Rev. Lett., 44 (22), 1469 (1980)
  15. T. Mimura. IEEE Trans. Microw. Theory Tech., 50 (3), 780 (2002)
  16. G.K. Celler, S. Cristoloveanu. J. Appl. Phys., 93 (9), 4955 (2003)
  17. H. Sakaki, T. Noda, K. Hirakawa, M. Tanaka, T. Matsusue. J. Appl. Phys., 51 (23), 1934 (1987)
  18. K. Uchida, S.-I. Takagi. J. Appl. Phys., 82 (17), 2916 (2003)
  19. A. Pirovano, A.L. Lacaita, G. Zandler, R. Oberhuber. IEEE Trans. Electron Dev., 47 (4), 718 (2000)
  20. A. Pirovano, A.L. Lacaita, G. Ghidini, G. Tallarida. IEEE Electron Dev. Lett., 21 (1), 34 (2000)
  21. M. Lundstrom. Fundamentals of carrier transport (Cambridge University Press, 2000)
  22. S.C. Sun, J.D. Plummer. IEEE Trans. Electron Dev., 27 (8), 1497 (1980)
  23. F.W. Sexton, J.R. Schwank. IEEE Trans. Nucl. Sci., 32 (6), 3975 (1985)
  24. Е.В. Киселева, С.В. Оболенский. Микроэлектроника, 35 (5), 374 (2006)
  25. S.M. Goodnick, D.K. Ferry, C.W. Wilmsen, Z. Liliental, D. Pathy, O.L. Krivanek. Phys. Rev. B, 32 (12), 8171 (1985)
  26. B.B. Mandelbrot. The Fractal Geometry of Nature (N.Y., Freeman, 1982)
  27. T. Yoshinobu, A. Iwamoto, H. Iwasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 33 (1A), 67 (1994)
  28. C.-K. Peng, S. Havlin, H.E. Stanley, A.L. Goldberger. Chaos, 5, 82 (1995)
  29. А.В. Алпатов, С.П. Вихров, Н.В. Гришанкина. ФТП, 47 (3), 340 (2013)
  30. А.В. Алпатов, С.П. Вихров, Н.В. Рыбина. ФТП, 49 (4), 467 (2015)
  31. С.В. Оболенский, Е.В. Волкова, А.Б. Логинов, Б.А. Логинов, Е.А. Тарасова, А.С. Пузанов, С.А. Королев. Письма ЖТФ, 47 (5), 38 (2021)
  32. Е.В. Волкова, А.Б. Логинов, Б.А. Логинов, Е.А. Тарасова, А.С. Пузанов, С.А. Королев, Е.С. Семеновых, С.В. Хазанова, С.В. Оболенский. ФТП, 55 (10), 846 (2021)
  33. Б.А. Логинов, Д.Ю. Блинников, В.C. Второва, В.В. Кириллова, Е.А. Ляшко, В.С. Макеев, А.Р. Первых, Н.Д. Абросимова, И.Ю. Забавичев, А.С. Пузанов, Е.В. Волкова, Е.А. Тарасова, С.В. Оболенский. ЖТФ, 93 (7), 1025 (2023)
  34. Б.А. Логинов, П.Б. Логинов, В.Б. Логинов, А.Б. Логинов. Наноиндустрия, 12 (6), 352 (2019)
  35. D.K. Schroder. Semiconductor Material and Device Characterization (N.J., Wiley-IEEE Press, 2006)
  36. H.E. Hurst. Trans. Am. Soc. Civil Eng., 116, 770 (1951)
  37. A.-L. Barabasi, H.E. Stanley. Fractal concepts in surface growth (Cambridge, Cambridge University Press, 1995)
  38. Ю.А. Калуш, В.М. Логинов. Сиб. журн. индустр. матем., 5 (4), 29 (2002)
  39. D. Necas, P. Klapetek. Cent. Eur. J. Phys., 10 (1), 181 (2012).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme