Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1991, выпуск 8
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 8
Беляков Л.В., Сресели О.М.
Поверхностные электромагнитные волны и фотоприемники (о б з о р)
1281
Одинцов А.А.
Одноэлектронный транспорт в системе с управляемой прозрачностью туннельных барьеров
1297
Борблик В.Л., Грибников З.С., Маркевич Б.П.
Теория полевого эффекта в туннельно-резонансной гетероструктуре с селективным рассеянием
1302
Гавриленко В.И., Красильник З.Ф., Никоноров В.В., Стариков Е.В., Шикторов П.Н.
Теоретическое и экспериментальное исследование ВАХ и ГАХ горячих дырок кремния
1315
Выжигин Ю.В., Соболев Н.А., Грессеров Б.Н., Шек Е.И.
Влияние атмосферы термообработки на образование центров с глубокими уровнями
1324
Зубрилов А.С., Ковешников С.В.
Влияние примесного состава n-Si на радиационное дефектообразование и деградацию времени жизни неосновных носителей заряда при gamma-облучении
1332
Яфясов А.М., Божевольнов В.Б., Перепелкин А.Д.
Электрофизические свойства слоистой структуры на основе (CdHg)Te в системе полупроводник-электролит
1339
Азаренков Н.А., Остриков К.Н.
Влияние разогрева электронов на распространение магнитоплазменных поверхностных волн в структуре полупроводник-металл
1344
Атаев Ж., Васильев В.А., Волков А.С., Кумеков М.Е., Теруков Е.И., Шведков И.В.
Фотоэлектрические свойства пленок a-Si : H и структур на их основе в УФ области спектра
1350
Абрамов В.С., Акимченко И.П., Дравин В.А., Дымова Н.Н., Краснопевцев В.В., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В.
Совместная имплантация в полуизолирующий арсенид галлия электрически активной и изовалентной примесей
1355
Карпов С.Ю., Копьев П.С., Тер-Мартиросян А.Л., Чалый В.П., Шкурко А.П.
Исследование взаимного теплового влияния элементов лазерной линейки, работающей в квазинепрерывном режиме
1361
Сырбу Н.Н., Заднипру И.В., Тэзлэван В.Е.
Колебательные спектры и эффективные заряды в шпинелях In
2
S
3
, CdIn
2
S
4
, AgIn
5
S
8
и CuIn
5
S
8
1366
Мастеров В.Ф., Штельмах К.Ф., Захаренков Л.Ф., Лихолит И.Л., Терлецкий И.А.
ЭПР аксиального центра иттербия в InP
1375
Денисов В.П., Пашук А.В.
Фотоэлектрические процессы на границе полупроводник-изотропный жидкий диэлектрик (GaAs, Si-органические растворители)
1381
Кабанов В.Ф., Свердлова А.М.
Исследование электрофизических свойств пленок магнитного полупроводника Eu
1-x
Sm
x
O
1388
Кязым-заде А.Г., Мехтиева Р.Н., Ахмедов А.А.
Сэндвич-фоторезисторы на основе гетеропереходов InSe-GaSe
1392
Деноткин В.Л., Козиков С.А., Кригель В.Г., Козлова С.В.
Исследование субмикронных эпитаксиальных слоев, глубоко лежащих в структуре на основе GaAs-Al
x
Ga
1-x
As
1397
Берковиц В.Л., Бессолов В.Н., Львова Т.В., Новиков Е.Б., Сафаров В.И., Хасиева Р.В., Царенков Б.В.
Потенциальные барьеры на поверхности n- и p-GaAs (100): кинетика движения поверхностного уровня Ферми при химической обработке
1406
Гарбузов Д.З., Беришев И.Э., Ильин Ю.В., Ильинская Н.Д., Овчинников А.В., Пихтин Н.А., Рассудов Н.Л., Тарасов И.С.
Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров (lambda=1.3 мкм) с мощностью излучения 160 мВт
1414
Вигдорович Е.Н., Гольдберг Ю.А., Дурдымурадова М.Г., Мелебаев Д., Царенков Б.В.
Коротковолновая фоточувствительность поверхностно-барьерных структур: влияние промежуточного диэлектрического слоя
1419
Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д., Богобоящий В.В.
Изменение дефектной структуры Cd
x
Hg
1-x
Te при легировании индием
1423
Андреев И.А., Михайлова М.П., Мельников С.В., Сморчкова Ю.П., Яковлев Ю.П.
Лавинное умножение и коэффициенты ионизации в GaInAsSb
1429
Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф.
Широкозонные твердые растворы (SiC)
1-x
(AlN)
x
1437
Голикова О.А., Домашевская Э.П., Мездрогина М.М., Сорокина К.Л., Терехов В.А., Тростянский С.Н.
Плотность состояний хвоста валентной зоны и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
1448
Бедный Б.И., Карпович И.А., Байдусь Н.В., Болдыревский П.Б., Степанов А.С., Федосеева Н.В.
Фотопроводимость и конденсаторная фотоэдс в delta-легированных слоях GaAs
1450
Горобец Н.В., Гудыма Ю.В., Лихобабин Н.П.
Волны переключения при обратимом тепловом пробое в полупроводниковых пластинах
1453
Казанский А.Г., Кузнецов С.В.
Температурная зависимость фотопроводимости в a-Si : H p-типа
1456
Мудрый А.В., Патук А.И., Шакин И.А.
Образование центров люминесценции в кремнии при низкотемпературной имплантации ионов углерода
1459
Нейфельд Э.А., Доманская Л.И., Городилов Н.А. Н.А.
Влияние одноосного сжатия на термоэдс увлечения в p-InSb
1463
Ковалевская Г.Г., Мередов М.М., Пенцов А.В., Руссу Е.В., Салихов Х.М., Слободчиков С.В.
Токи двойной инжекции и фототок в диодных структурах Pd-p-p
+
-InP
1466
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Таиров М.А.
Компенсация фотоплеохроизма поляриметрических структур на основе CdGeP
2
1469
Денисов В.Н., Маврин Б.Н., Новиков С.В., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В.
Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и In: влияние дефектов и затухание плазмофонона
1472
Козуб В.И.
Новые книги по полупроводникам
1476
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук