Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и In: влияние дефектов и затухание плазмофонона
Денисов В.Н.1, Маврин Б.Н.1, Новиков С.В.1, Чалдышев В.В.1, Шмарцев Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 июля 1991 г.