Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2013, выпуск 11
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 11
Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.
Андрианов А.В., Алексеев П.С., Климко Г.В., Иванов С.В., Щеглов В.Л., Седова М.А., Захарьин А.О.
Генерация когерентного терагерцового излучения поляризованными электронно-дырочными парами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
1441
Румянцев В.В., Иконников А.В., Антонов А.В., Морозов С.В., Жолудев М.С., Спирин К.Е., Гавриленко В.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н.
Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
1446
Кукушкин В.А.
Моделирование генерации импульсов ультрафиолетового и мягкого рентгеновского излучения в результате кооперативной рекомбинации экситонов в нанокристаллах алмаза, внедренных в полимерную пленку
1451
Арапов Ю.Г., Гудина С.В., Клепикова А.С., Неверов В.Н., Подгорных С.М., Якунин М.В., Звон ков Б.Н.
Эффекты туннелирования в наклонных магнитных полях в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно-связанными квантовыми ямами
1457
Тонких A.A., Талалаев В.Г., Werner P.
Псевдоморфные гетероструктуры GeSn/Ge(001)
1462
Суханов А.А., Сабликов В.А.
Спин-поляризованные токи в туннельном контакте нормального проводника и двумерного топологического изолятора
1467
Морозов С.В., Румянцев В.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И., Козлов Д.В.
Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в p-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях
1472
Сабликов В.А.
Метастабильные состояния --- возможный механизм аномалий кондактанса мезоскопических структур
1476
Мурель А.В., Данильцев В.М., Демидов Е.В., Дроздов М.Н., Шашкин В.И.
Влияние быстрого термического отжига на параметры арсенидгаллиевого низкобарьерного диода с приповерхностным delta-легированием
1481
Алешкин В.Я., Афоненко А.А., Дикарёва Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Морозов С.В., Некор кин С.М.
Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs
1486
Каган М.С., Алтухов И.В., Баранов А.Н., Ильинская Н.Д., Папроцкий С.К., Тесье Р., Усикова А.А.
Проявление эффекта Пёрселла в проводимости короткопериодных сверхрешеток InAs/AlSb
1489
Дроздов М.Н., Новиков А.В., Юрасов Д.В.
Сегрегация сурьмы в напряженных SiGe-гетероструктурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
1493
Калинин К.П., Криштопенко С.С., Маремьянин К.В., Спирин К.Е., Гавриленко В.И., Бирюков А.А., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н.
Спиновое расщепление Рашбы и циклотронный резонанс в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом
1497
Кочерешко В.П., Платонов А.В., Саввидис П., Кавокин А.В., Блез Ж., Мариетт А.
Конденсация экситонов в микрорезонаторах в условиях трехмерного квантования
1504
Яблонский А.Н., Байдакова Н.А., Новиков А.В., Лобанов Д.Н.
Кинетика фотолюминесценции самоформирующихся Ge(Si) островков в многослойных структурах SiGe/Si и SiGe/SOI
1509
Антонов А.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров Д.В., Шмагин В.Б., Красильник З.Ф.
Особенности примесной фотопроводимости в эпитаксиальных диодах Si : Er/Si
1513
Морозов С.В., Крыжков Д.И., Алешкин В.Я., Звонков Б.Н., Вихрова О.И.
Cпектрокинетические свойства гетероструктур с квантовыми ямами на основе GaAsSb/InGaAs/GaAs, излучающих в области 1.0-1.2 мкм
1517
Конаков А.А., Курова Н.В., Бурдов В.А.
Влияние спин-орбитального взаимодействия на структуру основного состояния электронов в кремниевых нанокристаллах
1521
Винниченко М.Я., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Машко М.О., Балагула Р.М., Belenky G., Shterengas L., Kipshidze G.
Зависимость концентрации носителей заряда от тока в инжекционных лазерах среднего инфракрасного диапазона с квантовыми ямами
1526
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Кузьмин Р.В., Маляренко А.М., Машков В.А.
Особенности формирования спектров электролюминесценции квантово-размерных кремниевых p
+
-n-гетеропереходов в инфракрасном диапазоне длин волн
1530
Пархоменко Я.А., Иванов Э.В., Моисеев К.Д.
Особенности электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми точками InSb в матрице InAs
1536
Щукин В.А., Леденцов Н.Н., Карачинский Л.Я., Блохин С.А., Новиков И.И., Богословский Н.А., Савельев А.В.
Высокоэффективная электрооптическая полупроводниковая среда на основе гетероструктур второго рода
1542
Лебедев А.А., Заморянская М.В., Давыдов С.Ю., Кириленко Д.А., Лебедев С.П., Сорокин Л.М., Шустов Д.Б., Щеглов М.П.
Исследование переходного слоя в гетероструктурах 3C-SiC/6H-SiC
1554
Персоналии
Бахрам Мехралы оглы Аскеров
1559
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук