"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование генерации импульсов ультрафиолетового и мягкого рентгеновского излучения в результате кооперативной рекомбинации экситонов в нанокристаллах алмаза, внедренных в полимерную пленку
Кукушкин В.А.1
1Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.

С помощью численного моделирования показано, что рекомбинация свободных экситонов, фотовозбужденных в нанокристаллах алмаза, внедренных в полимерную пленку, может происходить в кооперативном режиме. Установлено, что этот режим может реализоваться несмотря на то, что алмаз является "непрямым" полупроводником. Продемонстрировано, что при кооперативной рекомбинации свободных экситонов мощность генерируемого излучения в пике импульса может более чем на порядок превосходить мощность некогерентного спонтанного излучения такого же начального числа свободных экситонов. В итоге показано, что рассмотренный процесс может быть использован для генерации пикосекундных импульсов ультрафиолетового и мягкого рентгеновского электромагнитного поля на длине волны 235 нм.
  1. M.J. Weber. Handbook of Laser Wavelengths (Boca Raton, CRC Press LLC, 1999)
  2. N. Wang, R. Wang, H. Teng, D. Li, Z. We. Appl. Optics, 51 (12), 1905 (2012).
  3. А.В. Андреев, В.И. Емельянов, Ю.А. Ильинский. Кооперативные явления в оптике (М., Наука, 1988). [Анг. пер. A.V. Andreev, V.I. Emelyanov, Yu.A. Iliinskii. Cooperative Effects in Optics (Bristol and Philadelphia, IOP Publ., 1993)]
  4. O. Madelung. Semiconductors: Data Handbook (Berlin, Springer, 2004)
  5. T. Makino, H. Kato. Optoelectronic Devices Using Homoepitaxial Diamond p-n and p-i-n junctions. In: CVD Diamond for Electronic Devices and Sensors, ed. by R.S. Sussmann (Chichester, John Wiley \& Sons, Ltd., 2009) p. 379
  6. A. Fujii, K. Takiyama, R. Maki, T. Fujita. J. Luminesc. 94--95, 355 (2001)
  7. K. Misawa, H. Yao, T. Hayashi, T. Kobayashi. J. Cryst. Growth, 117, 617 (1992)
  8. В.В. Железняков, В.В. Кочаровский, Вл.В. Кочаровский. УФН, 159 (2), 193 (1989). [Анг. пер. V.V. Zheleznyakov, V.V. Kocharovskii, Vl.V. Kocharovskii. Sov. Phys. Usp., 32 (10), 835 (1989)]
  9. Я.И. Ханин. Основы динамики лазеров (М., Наука, 1999) гл. 2. [Анг. пер. Ya.I. Khanin. Fundamentals of Laser Dynamics (Cambridge, Cambridge International Science Publishing, 2004) ch. 2]
  10. Р. Пантел, Г. Путхоф. Основы квантовой электроники (М., Мир, 1972) гл. 1, 2. [Анг. изд. R.H. Pantell, H.E. Puthoff. Fundamentals of Quantum Electronics (N.Y., John Wiley \& Sons, Inc., 1969) ch. 1, 2]
  11. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977) гл. 14
  12. K. Tsukioka. Jpn. J. Appl. Phys., 40 (pt 1, no. 5A), 3108 (2001)
  13. R.J. Elliott. Phys. Rev., 108 (6), 1384 (1957)
  14. S.J. Sharp, A.T. Collins, G. Davies, G.S. Joyce. J. Phys.: Condens. Matter, 9 (33), L451 (1997)
  15. В.В. Соболев, А.П. Тимонов, В.Вал. Соболев. Оптика и спектр., 88 (6), 970 (2000). [Анг. пер. V.V. Sobolev, A.P. Timonov, V.Val. Sobolev. Opt. and Spectrosc., 88 (6), 883 (2000)]
  16. D. Polder, M.F.H. Schuurmans, Q. Vrehen. Phys. Rev. A, 19 (3), 1192 (1979)
  17. M. Nagai, R. Shimano, K. Horiuchi, M. Kuwata-Gonokami. Phys. Rev. B, 68 (8), 081 202(R) (2003)
  18. T. Schmidt, A.I. Chizhik, A.M. Chizhik, K. Potrick, A.J. Meixner, F. Huisken. Phys. Rev. B, 86 (12), 125 302 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.