Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2002, выпуск 12
<<<
Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, выпуск 12
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Бирюлин Ю.Ф.
О влиянии сегрегации на состав твердого раствора GaAs
1-x
Sb
x
в методе жидкофазной эпитаксии
1409
Электронные и оптические свойства полупроводников
Партыка Я., Жуковский П.В., Венгерэк П., Родзик А., Сидоренко Ю.В., Шостак Ю.А.
Температурная зависимость ширины зоны глубоких уровней в сильнодефектном кремнии
1412
Богобоящий В.В.
О механизмах рассеяния дырок в кристаллах p-Hg
0.8
Cd
0.2
Te при низких температурах
1418
Боброва Е.А., Клевков Ю.В., Медведев С.А., Плотников А.Ф.
Исследование глубоких электронных состояний в текстурированных поликристаллах p-CdTe стехиометрического состава методом DLTS
1426
Партыка Я., Жуковский П.В., Венгерэк П., Родзик А., Сидоренко Ю.В., Шостак Ю.А.
Электронный парамагнитный резонанс соединений Cd
1-x
Mn
x
Te и Zn
1-x
Mn
x
Te
1432
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Соболев М.М., Соболев Н.А., Усиков А.С., Шмидт Н.М., Якименко А.Н., Гусинский Г.М., Найденов В.О.
Глубокий уровень, образующийся в слоях GaN при облучении протонами
1437
Егоров А.Ю., Одноблюдов В.А., Крыжановская Н.В., Мамутин В.В., Устинов В.М.
Взаимное расположение краев энергетических зон в гетероструктурах GaAs/GaAsN/InGaAs
1440
Низкоразмерные системы
Борисенко С.И.
Анализ неупругого рассеяния квазидвумерных электронов сверхрешетки на акустических фононах с учетом дисперсии минизоны
1445
Дмитриев И.А., Сурис Р.А.
Затухание блоховских осцилляций в сверхрешетках из квантовых точек. Общий формализм
1449
Дмитриев И.А., Сурис Р.А.
Затухание блоховских осцилляций в сверхрешетках из квантовых точек различной размерности
1460
Соловьев В.А., Терентьев Я.В., Торопов А.А., Мельцер Б.Я., Семенов А.Н., Ситникова А.А., Иванов С.В., Meyer J.R., Копьев П.С.
Рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии и фотолюминесцентные свойства квантовых ям InAsSb / AlSbAs
1470
Быканов Д.Д., Новиков С.В., Полянская Т.А., Савельев И.Г.
Слабая антилокализация и спин-орбитальное взаимодействие в квантовой яме In
0.53
Ga
0.47
As/InP в режиме замороженной фотопроводимости
1475
Физика полупроводниковых приборов
Годисов О.Н., Калитеевский А.К., Сафронов А.Ю., Королев В.И., Аруев П.Н., Бер Б.Я., Давыдов В.Ю., Забродская Н.В., Забродский В.В., Калитеевский М.А., Копьев П.С., Коварский А.П., Суханов В.Л.
Получение изотопно-чистых слоев кремния
28
Si методом газофазной эпитаксии
1484
Годисов О.Н., Калитеевский А.К., Сафронов А.Ю., Королев В.И., Бер Б.Я., Давыдов В.Ю., Денисов Д.В., Калитеевский М.А., Копьев П.С., Коварский А.П., Устинов В.М., Pohl H.-J.
Получение изотопно-чистых слоев кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии
1486
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук