Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1994, выпуск 2
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1994, том 28, выпуск 2
Аронов Д.А., Исаев X.И., Рубинов В.М., Туйчиев М.
Физические явления и их закономерности в тонких аморфных пленках фосфида галлия, возбужденных светом или пучками быстрых электронов
177
Баграев Н.Т., Юсупов А.
Метастабильные глубокие центры в монокристаллах Si
1-x
Ge
x
198
Жиляев Ю.В,, Мелебаев Д., Назаров Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Фоточувствительность и наведенный фотоплеохроизм двухбарьерных структур Au-n-GaP/p-Si
208
Баграев Н.Т., Лебедев А.А., Мирсаатов Р.М., Половцев И.С., Юсупов А.
Оптически индуцированная самокомпенсация халькогенов в кремнии
213
Оконечников А.П., Мельник Н.Н.
Дефектообразование в ZnSe при облучении alpha-частицами
221
Гарнык В.С.
Влияние характера рассеяния на время жизни неосновных носителей заряда в кремнии, легированном гафнием
228
Акимов Б.А., Албул А.В., Богданов Е.В., Ильин В.Ю.
Низкотемпературное переключение в РbТb : Ga под давлением
232
Слободчиков С.В., Салихов X.М., Саморуков Б.Е., Руссу E.В., Ковалевская Г.Г.
Механизм токопереноса в диодных структурах на основе n-GaP с напыленным палладием
237
Резников Б.И., Царенков Г.В.
Светоуправляемые электрические поля в высокоомной МПМ структуре при наличии глубоких примесных уровней. 1. Малые интенсивности
242
Варданян Б.Р., Резванов Р.Р., Чукичев М.В., Юнович А.Э.
Люминесценция множественных квантовых ям GaAs/Al
x
Ga
1-x
As в структурах для инфракрасных фотоприемников
259
Добровольский В.Н., Пальцев И.Е.
Ударная ионизация в неоднородно разогретых n
+
-p- и p
+
-n-переходах
266
Равич Ю.И., Немов С.А., Прошин В.И.
Самокомпенсация донорной примеси нейтральными комплексами в теллуриде свинца, легированном висмутом
271
Бумай Ю.А., Явич Б.С., Синицын М.А., Ульяшин А.Г., Шлопак Н.В., Воронин В.Ф.
Влияние гидрогенизации на фотолюминесценцию структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами
276
Аникин М.М., Стрельчук А.М., Сыркин А.Л., Челноков В.Е., Черенков А.Е.
Характер температурной и токовой зависимостей интенсивности краевой инжекционной электролюминесценции SiC p-n-структур
284
Бочкарева Н.И.
Поверхностная проводимость и релаксация емкости границ зерен в бикристаллах n-Ge
290
Быстров С.Д., Туан Ле, Новиков С.В., Савельев И.Г.
Исследование взаимосвязи между условиями роста и качеством гетерограницы с СЛГС InP/In
1-x
Ga
x
As, выращенных жидкофазной эпитаксией
298
Дроздов С.В., Кипшидзе Г.Д., Крещук А.М., Кулагина М.М., Новиков С.В., Савельев И.Г.
Квантовые нити с управляемой шириной проводящего канала на основе генетоструктур In
0.53
Ga
0.47
As/InP
302
Криволапчук В.В., Полетаев Н.К., Федоров Л.М.
Влияние метастабильных состояний на формирование стационарных спектров фотолюминесцинции n-GaAs
310
Гарбузов Д.3., Бородицкий М.Л., Ильинская Н.Д., Лившиц Д.А., Марьинский Д.Н., Рафаилов Э.У.
Управление модовым составом мощных зарощенных лазеров на основе InGaAsP/GaAs с длиной волны 0.8 мкм
315
Меркулов И.А., Родина А.В.
Волновые функции и энергия связи дырки в основном состоянии акцептора в алмазоподобных полупроводниках
321
Астрова Е.В., Белов С.В., Лебедев А.А.
Некоторые свойства структур на основе пористого кремния, полученного методом окрашивающего травления
332
Андреев В.М., Калиновский В.С., Ларионов В.Р., Стругова Е.О., Румянцев В.Д.
Поведение AlGaAs/GaAs-фотодиодов при облучении "мягким" ионизирующим излучением
338
Константинов А.О., Константинова Н.С., Коньков О.И., Теруков Е.И., Иванов П.А.
Пассивация кристаллицеского карбида кремния в водородной плазме
342
Альварес X.К., Берман Л.С., Боревич В.А., Грехов И.В., Каримов И.Н., Соколов Н.С., Шулекин А.Ф.
Вольт-фарадные характеристики туннельно-тонких МДП структур кремний-фторид кальция-золото, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитакции
346
Евстропов В.В., Жиляев Ю.В., Липко А.Л., Мынбаева М.Г., Назаров Н., Федоров Л.М.
Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных Au-n-GaP-структур на Si-подложках
350
Дроздова И.А., Корсунская Н.Е., Маркевич И.В.
Анизотрипия проводимости, индуцированная электрическим полем, в кристаллах CdS
353
Савицкий В.Г., Соколовский Б.С.
Об энергетической диаграмме классических варизонных сверхрешеток
356
Слободчиков С.В., Салихов X.М., Ковалевская Г.Г.
Низкочастотные осцилляции фототока в InP<Fe> в магнитном поле
360
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук