"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Некоторые свойства структур на основе пористого кремния, полученного методом окрашивающего травления
Астрова Е.В.1, Белов С.В.1, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 января 1994 г.

Исследованы электрофизические свойства кремний-водородных пленок (КВП), полученных методом окрашивающего травления, и светоизлучающих структур на их основе Me-КВП-Si. Получены значения показателя преломления пленки n=1.8/ 3.0, диэлектрической проницаемости varepsilon=3.9, удельного электрического сопротивления rho=0.6/2.5·109 Ом·см, электрической прочности ~ 106 В/см. Вольт-фарадные характеристики в зависимости от толщины КВП аналогичны МДП структурам с "толстым" или туннельно-прозрачным диэлектриком. Суммарный заряд в структуре с КВП изменяется с отрицательного на положительный при освещении структуры или охлаждении. Спектры. DLTS структур на n-Si содержат пик, который, по-видимому, следует отнести за счет генерации неосновных носителей в инверсном слое.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.