Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2000, выпуск 5
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, выпуск 5
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Глазов В.М., Потемкин А.Я.
Взаимодействие между медью и сурьмой в твердом растворе на основе германия с образованием заряженного комплекса
513
Кузнецов В.П., Рубцова Р.А.
Особенности метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и его возможности при получении структуры Si : Er / Si
519
Александров О.В., Захарьин А.О., Соболев Н.А., Николаев Ю.А.
Влияние электрически неактивных примесей на образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных эрбием
526
Электронные и оптические свойства полупроводников
Глинчук К.Д., Литовченко Н.М., Прохорович А.В., Стрильчук О.Н.
Стимулированное углеродом увеличение концентрации дивакансий галлия в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия
530
Медведкин Г.А.
Влияние диффузионной длины и поверхностной рекомбинации на фотоплеохроизм анизотропных кристаллов
533
Медведкин Г.А.
Влияние диффузионной длины и поверхностной рекомбинации на поляризационную квантовую эффективность анизотропных кристаллов
537
Гаджиалиев М.М.
Термоэдс n-InSb в поперечном квантующем магнитном поле и при большом градиенте температуры
541
Шевченко С.А.
Влияние отжига на дислокационную электропроводность германия
543
Мудрый А.В., Якушев М.В., Томлинсон Р.Д., Хилл А.Е., Пилкингтон Р.Д., Боднарь И.В., Викторов И.А., Гременок В.Ф., Шакин И.А., Патук А.И.
Оптическая спектроскопия экситонных состояний в CuInSe
2
550
Лебедев А.А.
Влияния одноосной деформации на электрофизические характеристики 6H-SiC p-n-структур
555
Берман Л.С., Данильченко В.Г., Корольков В.И., Солдатенков Ф.Ю.
Глубокоуровневые центры в нелегированных слоях p-GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии
558
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Пенин Н.А.
Фотоемкостной эффект в монополярном металл--диэлектрик--полупроводник конденсаторе при низких температурах
562
Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В., Вениг С.Б., Орлов В.Е.
Возникновение режима отрицательного дифференциального сопротивления и переключения в туннельном диоде под действием внешнего СВЧ сигнала
567
Гулямов Г., Дадамирзаев М.Г., Бойдедаев С.Р.
Эдс горячих носителей, обусловленная модуляцией поверхностного потенциала в сильном СВЧ поле
572
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Бекимбетов Р.Н., Гременок В.Ф., Боднарь И.В., Русак Л.В.
Фоточувствительность тонкопленочных структур на основе твердых растворов (CuInSe
2
)
x
(2ZnSe)
1-x
576
Низкоразмерные системы
Алешкин В.Я., Андреев Б.А., Гавриленко В.И., Ерофеева И.В., Козлов Д.В., Кузнецов О.А.
Мелкие акцепторы в напряженных гетероструктурах Ge/Ge
1-x
Si
x
с квантовыми ямами
582
Бондарь Н.В., Тищенко В.В., Бродин М.С.
Энергетическое состояние экситонов и спектры фотолюминесценции напряженных сверхрешеток ZnS--ZnSe
588
Алешкин В.Я., Андронов А.А.
Бесфононные и дипольные Gamma-X-переходы электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs с квантовыми ямами в продольном электрическом поле
595
Ткач Н.В., Головацкий В.А., Войцеховская О.Н.
Особенности спектров электронов и дырок в открытой сферической наногетероструктуре (на примере GaAs/Al
x
Ga
1-x
As/GaAs)
602
Закурдаев И.В., Байзер М.В., Садофьев С.Ю., Рзаев М.М.
Исследование процесса распада упругонапряженной пленки германия на поверхности кремния
607
Малеев Н.А., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Михрин С.С., Устинов В.М., Бедарев Д.А., Воловик Б.В., Крестников И.Л., Каяндер И.Н., Одноблюдов В.А., Суворова А.А., Цацульников А.Ф., Шерняков Ю.М., Леденцов Н.Н., Копьев П.С., Алфёров Ж.И., Бимберг Д.
Гетероструктуры с несколькими слоями InAs / InGaAs-квантовых точек для источников оптического излучения диапазона длин волн 1.3 мкм
612
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Иванов П.А., Коньков О.И., Теруков Е.И.
Вольт-амперные характеристики электролюминесцентных структур Me/a-Si : H<Er>/c-Si, изготовленных магнетронным распылением
617
Глауберман М.А., Козел В.В., Нахабин А.В.
Перенос носителей заряда в двухколлекторном магнитотранзисторе
622
Физика полупроводниковых приборов
Новиков В.В., Варданян Р.Р., Пахомов Э.Е.
Метод модуляции подвижности носителей заряда в полупроводнике
625
Жуков А.Е., Ковш А.Р., Михрин С.С., Малеев Н.А., Одноблюдов В.А., Устинов В.М., Шерняков Ю.М., Кондратьева Е.Ю., Лившиц Д.А., Тарасов И.С., Леденцов Н.Н., Копьев П.С., Алфёров Ж.И., Bimberg D.
Эффективность преобразования лазерных диодов на основе квантовых точек
628
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук