"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияния одноосной деформации на электрофизические характеристики 6H-SiC p-n-структур
Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Проведено исследование влияния одноосного давления на спектр электролюминисценции и вольт-амперные характеристики 6H-SiC p-n-структуры. Обнаружено, что под действием давления происходит быстрое гашение экситонной электролюминесценции и более медленное --- примесных полос электролюминесценции. Было также обнаружено, что одноосное давление приводит к искажению формы прямой вольт-амперной характеристики и ее смещению в сторону меньших напряжений. Сделан вывод, что приложение давления приводило к трансформации термоинжекционных токов в туннельные.
  1. А.А. Каплянский. Оптика и спектроскопия, 10, 165 (1961)
  2. А.А. Каплянский, Н.А. Москвин, А.К. Пржевуский. Опт. и спектр., 10, 368 (1961)
  3. А.А. Лебедев, Н.А. Султанов, В. Экке. ФТП, 21, 321 (1987)
  4. Ch. Haberstroh, R. Helbig, R.A. Stein. J. Appl. Phys., 76, 509 (1994)
  5. M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin. Mater. Sci. Eng. B, 11, 113 (1992)
  6. M.M. Anikin, P.A. Ivanov, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk. In: Semiconductor Interfaces and Microstructures, ed. by Z.C. Feng (World Scientific, Singapore, 1990) p. 280
  7. A.A. Lebedev, V.E. Chelnokov. Diam. Relat. Mater., 3, 1393 (1994)
  8. В.В. Евстропов, А.М. Стрельчук. ФТП, 30, 92 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.