"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Глубокоуровневые центры в нелегированных слоях p-GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии
Берман Л.С.1, Данильченко В.Г.1, Корольков В.И.1, Солдатенков Ф.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Исследованы глубокоуровневые центры в p-n-переходах из арсенида галлия, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии в атмосфере водорода или аргона. В p-слоях, выращенных в водороде, время жизни неосновных носителей на порядок больше, чем в p-слоях, выращенных в аргоне. Показано, что в различных газовых средах образуются различные глубокоуровневые центры. В образцах, выращенных в водороде, обнаружены 2 глубокоуровневых центра, являющихся ловушками для дырок. Зависимости Аррениуса для этих центров близки к известным зависимостям для центров HL2 и HL5, что позволяет идентифицировать наблюдаемые центры как HL2 и HL5. В образцах, выращенных в аргоне, обнаружен 1 глубокоуровневый центр --- ловушка для дырок. Он идентифицирован как мышьяк в подрешетке галлия.
  1. В.Г. Никитин, И. Рачинска, Е.Р. Сеель, М.Н. Степанова, Д.Н. Третьяков, Т.П. Федоренко. Тез. докл. 3-й Всес. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (Одесса, 1982) т. 2, с. 146
  2. М.М. Соболев, П.Н. Брунков, С.Г. Конников, М.Н. Степанова, В.Г. Никитин, В.П. Улин, А.Ш. Долбая, Т.Д. Камушадзе, Р.М. Майсурадзе. ФТП, 23, 1058 (1989)
  3. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  4. Л.С. Берман, А.Д. Ременюк, М.Г. Толстобров. Препринт N 974 (Л., ФТИ, 1985)
  5. Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводниковых диодов в импульсном режиме (М., Наука, 1968)
  6. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
  7. Л.С. Берман. Введение в физику варикапов (Л., Наука, 1968)
  8. A. Mitoneau, G.M. Martin, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 666 (1977)
  9. Landolt-Borstein. New Series, v. 22b: Impurities and Deep Defects in Group IV Elements and III--V Compounds (Springer Verlag, 1989)
  10. J.C. Bourgoin, H.T. Bardeleben, D. Stievenard. J. Appl. Phys., 64, R65 (1988)
  11. D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18, 3839 (1985)
  12. F. Hasegava, A. Majerfield. Electron. Lett., 11, 286 (1975)
  13. M. Kleverman, P. Omling, L.-A. Ledebo, H.C. Grimmeis. J. Appl. Phys., 54, 814 (1983)
  14. G. Lagovski, D.G. Lin, T.P. Chen, M. Skowronski, H.G. Gatos. J. Appl. Phys., 47, 929 (1985)
  15. C.H. Henry, D.V. Lang. Phys. Rev. B, 15, 989 (1977)
  16. В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1975)
  17. L.S. Berman. Purity Control of Semiconductors by the Method of Capacitance Transient Spectroscopy (St.Petersburg, 1995)
  18. С.И. Пономарев, А.Б. Райцын, Т.В. Россина, Е.Р. Сеель, М.Н. Степанова, Д.Н. Третьяков. Тез. докл. 7-й Всес. конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, 1986) ч. 2, с. 246

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.