Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2018, выпуск 11
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11
К столетию Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе
1255
XXII Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 12- 15 марта 2018 г.
Козлов Д.В., Румянцев В.В., Морозов С.В., Кадыков А.М., Фадеев М.А., Hubers H.-W., Гавриленко В.И.
Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg
1-x
Cd
x
Te
1257
Румянцев В.В., Куликов Н.С., Кадыков А.М., Фадеев М.А., Иконников А.В., Казаков А.С., Жолудев М.С., Алешкин В.Я., Уточкин В.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Морозов С.В., Гавриленко В.И.
Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
1263
Хабибуллин Р.А., Щаврук Н.В., Пономарев Д.С., Ушаков Д.В., Афоненко А.А., Васильевский И.С., Зайцев А.А, Данилов А.И., Волков О.Ю., Павловский В.В., Маремьянин К.В., Гавриленко В.И.
Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц
1268
Бовкун Л.С., Маремьянин К.В., Иконников А.В., Спирин К.Е., Алешкин В.Я., Potemski M., Piot B., Orlita M., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И.
Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл
1274
Абрамкин Д.С., Бакаров А.К., Гутаковский А.К., Шамирзаев Т.С.
Спинодальный распад в InSb/AlAs-гетероструктурах
1280
Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Антонов И.Н.
Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур
1286
Гудина С.В., Боголюбский А.С., Неверов В.Н., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В.
Модель петли экстремумов" для спектра валентной зоны квантовой ямы HgTe/HgCdTe с инвертированной зонной структурой в полуметаллической фазе
1291
Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А.
Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео-Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений
1295
Юнин П.А., Дроздов Ю.Н., Хрыкин О.И., Григорьев В.А.
Исследование анизотропии структурных свойств слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на a-срезе сапфира (1120)
1300
Цырлин Г.Э., Резник Р.Р., Самсоненко Ю.Б., Хребтов А.И., Котляр К.П., Илькив И.В., Сошников И.П., Кириленко Д.А., Крыжановская Н.В.
Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
1304
Морозов К.М., Иванов К.А., Selenin N., Mikhrin S., de Sa Pereira D., Menelaou C., Monkman A.P., Калитеевский М.А.
Экспериментальное исследование усиления спонтанной эмиссии в микрорезонаторах на основе таммовских плазмонов с органической активной областью
1308
Новодворский О.А., Михалевский В.А., Гусев Д.С., Лотин А.А., Паршина Л.С., Храмова О.Д., Черебыло Е.А., Дровосеков А.Б., Рыльков В.В., Николаев С.Н., Черноглазов К.Ю., Маслаков К.И.
Модификация ферромагнитных свойств тонких пленок Si
1-x
Mn
x
, синтезируемых методом импульсного лазерного осаждения при изменении давления буферного газа
1313
Резник Р.Р., Котляр К.П., Илькив И.В., Сошников И.П., Лебедев С.П., Лебедев А.А., Кириленко Д.А., Алексеев П.А., Цырлин Г.Э.
Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена
1317
Юнин П.А., Волков П.В., Дроздов Ю.Н., Колядин А.В., Королев С.А., Радищев Д.Б., Суровегина Е.А., Шашкин В.И.
Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек
1321
Деребезов И.А., Гайслер В.А., Гайслер А.В., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., von Helversen M., de la Haye C., Bounouar S., Reitzenstein S.
Спектроскопия одиночных AlInAs- и (111)InGaAs-квантовых точек
1326
Новиков А.В., Юрасов Д.В., Морозова Е.Е., Скороходов Е.В., Вербус В.А., Яблонский А.Н., Байдакова Н.А., Гусев Н.С., Кудрявцев К.Е., Нежданов А.В., Машин А.И.
Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники
1331
Павельев Д.Г., Васильев А.П., Козлов В.A., Оболенская Е.С.
Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток
1337
Рудин С.А., Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Новиков П.Л., Ненашев А.В., Родякина Е.Е., Двуреченский А.В.
Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)
1346
Жуков А.Е., Гордеев Н.Ю., Шерняков Ю.М., Паюсов А.С., Серин А.А., Кулагина М.М., Минтаиров С.А., Калюжный Н.А., Максимов М.В.
Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами
1351
Добрецова А.А., Квон З.Д., Брагинский Л.С., Энтин М.В., Михайлов Н.Н.
Подвижность и квантовое время бесщелевых дираковских электронов в квантовых ямах HgTe
1357
Охапкин А.И., Юнин П.А., Дроздов М.Н., Краев С.А., Скороходов Е.В., Шашкин В.И.
Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C
2
F
5
Cl
1362
Хананова А.В., Оболенский С.В.
Разработка физико-топологической модели реакции мощного вертикального ДМОП транзистора на воздействие импульсного гамма-излучения
1366
Абрамкин Д.С., Петрушков М.О., Путято М.А., Семягин Б.Р., Шамирзаев Т.С.
Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si
1373
Дроздов Ю.Н., Хрыкин О.И., Юнин П.А.
Проверка гипотезы о термоупругом характере деформации слоя (0001)GaN, выращенного на a-срезе сапфира
1380
Кудрявцев К.Е., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Юрасов Д.В., Горлачук П.В., Рябоштан Ю.Л., Мармалюк А.А., Новиков А.В., Красильник З.Ф.
Стимулированное излучение в диапазоне 1.3-1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A
III
B
V
на кремниевых подложках
1384
Бекин Н.А.
Многофононная внутрицентровая релаксация состояний акцепторов бора в алмазе
1390
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук