"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена
Переводная версия: 10.1134/S1063782618110210
Резник Р.Р.1, Котляр К.П.2, Илькив И.В.2, Сошников И.П.2,3,4, Лебедев С.П.4, Лебедев А.А.4, Кириленко Д.А.4, Алексеев П.А.4, Цырлин Г.Э.1,2,3,5
1Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: moment92@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

Впервые была продемонстрирована принципиальная возможность синтеза GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке карбида кремниям с пленкой графена. InP-нанокристаллы на такой подложке не имеют дефектов упаковки и обладают идеальным кристаллографическим качеством, в то время как GaP нитевидные кристаллы имеют структурные дефекты типа двойников/перекидок кристаллографических фаз у вершины и основания. Результаты структурных исследований показали, что нитевидные нанокристаллы сформировались в вюрцитной фазе, не типичной для объемных III-V материалов.
  1. M.P. Persson, H.Q. Xu. Appl. Phys. Lett., 81, 1309 (2002)
  2. M.S. Gudiksen, L.J. Lauhon, J. Wang, D.C. Smith, C.M. Lieber. Nature, 415, 617 (2002)
  3. K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, M. Koguchi, H. Kakibayashi. J. Appl. Phys., 77, 447 (1995)
  4. K. Haraguchi, T. Katsuyama, K. Hiruma. J. Appl. Phys., 75, 4220 (1994)
  5. T. Bryllert, L.-E. Wernersson, L.E. Froberg, L. Samuelson. IEEE Electron. Dev. Lett., 27, 323 (2006)
  6. S. Hirano, N. Takeuchi, S. Shimada, K. Masuya, K. Ibe, H. Tsunakawa, M. Kuwabara. J. Appl. Phys., 98, 305 (2005)
  7. N.D. Zakharov, V.G. Talalaev, P. Werner, A.A. Tonkikh, G.E. Cirlin. Appl. Phys. Lett., 83, 3084 (2003)
  8. S. Perisanu, V. Gouttenoire, P. Vincent, A. Ayari, M. Choueib, M. Bechelany, D. Cornu, S.T. Purcell. Phys. Rev. B, 77, 434 (2008)
  9. L. Tsakalakos, J. Balch, J. Fronheiser, B.A. Korevaar, O. Sulima, J. Rand. Appl. Phys. Lett., 91, 117 (2007)
  10. Zh. Chen, Yu-M. Lin, M.J. Rooks, Ph. Avourisl. Physica E: Low-Dim. Systems and Nanostructures, 40, 228 (2007).
  11. A.C. Ferrari, F. Bonaccorso, V. Fal'ko, K.S. Novoselov, S. Roche, P. Boggild, S. Borini, F.H. Koppens, V. Palermo, N. Pugno, J.A. Gazzido, R. Sordan, A. Bianco, L. Ballerini, M. Prato, E. Lidorikis, J. Kivioja, C. Marinelli, T. Ryhanen, A. Morpurgo, J.N. Coleman, V. Nicolosi, L. Colombo, A. Fert, M. Garcia-Hernandez. Nanoscale, 7, 4598 (2015)
  12. В.Ю. Давыдов, Д.Ю. Усачев, С.П. Лебедев, А.Н. Смирнов, В.С. Левицкий, И.А. Елисеев, П.А. Алексеев, М.С. Дунаевский, О.Ю. Вилков, А.Г. Рыбкин, А.А. Лебедев. ФТП, 51, 1116 (2017)
  13. Н.В. Агринская, В.А. Березовец, В.И. Козуб, И.С. Котоусова, А.А. Лебедев, С.П. Лебедев, А.А. Ситникова. ФТП, 47, 267 (2013)
  14. А.А. Лебедев, С.П. Лебедев, С.Н. Новиков, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, Д.П. Литвин, Ю.Н. Макаров, В.С. Левицкий. ЖТФ, 86, 135 (2016)
  15. G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, J.C. Harmand, F. Glas. Phys. Status Solidi RRL, 3--4, 112 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.